交流变频调速技术 第2章 常用电子器件原理及选择 §2-0 主电路器件 交-直-交的主电路需用大功率整流二极管,比较简单(略) 逆变器主要是大功率、耐高压SCR(silicon controlled rectifiier可控硅,或thyristor晶闸管)、 GTO(gate turn-off thyristor门极可关断晶闸管)、 GTR(grant transistor大功率晶体管)、 IGBT(insulated gate bipolar transistor绝缘栅双极型晶体管) IGCT(integreted gate commutated thyristor集成门极换流晶闸管) MOSFET(metal oxgen field transistor金属氧化物场效应管) SIT(static induction transistor静电感应晶体管) SITH(static induction thyristor静电感应晶闸管) MCT(MOS-controlled thyristorMOS控制晶闸管) IPM(intelligent power module 电力电子器件) 两个要求: 1.耐高压和大电流。2.允许频繁开关且控制方便 §2-1 晶闸管的结构原理及测试 1.结构:SCR或TH器件是四层(三个PN结)三个极的大功率半导体器件。 A-阳极 K-阴极 G-门极是单
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