模拟电子线路32结型场效应管.pptVIP

3.2 结型场效应管 JFET结构示意图及电路符号 S G D S G D P + P + N G S D N沟道JFET P沟道JFET N + N + P G S D N沟道JFET管外部工作条件 VDS 0 (保证栅漏PN结反偏) VGS 0 (保证栅源PN结反偏) 3.2.1 JFET管工作原理 P + P + N G S D + VGS VDS + - VGS对沟道宽度的影响 |VGS | ? 阻挡层宽度? 若|VGS | 继续? 沟道全夹断 使VGS =VGS (off)夹断电压 若VDS=0 N G S D + VGS P + P + N型沟道宽度? 沟道电阻Ron? VDS很小时 → VGD ?VGS 由图 VGD = VGS - VDS 因此 VDS?→ID线性 ? 若VDS ?→则VGD ?→近漏端沟道? → Ron增大。 此时 Ron ?→ID ?变慢 VDS对沟道的控制（假设VGS 一定） N G S D + VGS P + P + VDS + - 此时W近似不变 即Ron不变 当VDS增加到使VGD ?=VGS(off)时 → A点出现预夹断 若VDS 继续?→A点下移→出现夹断区 此时 VAS =VAG +VGS =-VGS(off) +VGS （恒定） 若忽略沟道长度调制效应，则近似认为l 不变（即Ron不变）。 因此预夹断后： VDS ? →ID 基本维持不变。 N G S D + VGS P + P + VDS + - A N G S D + VGS P + P + VDS + - A 利用半导体内的电场效应，通过栅源电压VGS的变化，改变阻挡层的宽窄，从而改变导电沟道的宽窄，控制漏极电流ID。 JFET工作原理： 综上所述，JFET与MOSFET工作原理相似，它们都是利用电场效应控制电流，不同之处仅在于导电沟道形成的原理不同。 NJFET输出特性 非饱和区(可变电阻区) 特点： ID同时受VGS与VDS的控制。 条件： VGS VGS(off) V DS VGS–VGS(off) 3.2.2 伏安特性曲线 线性电阻: ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(off) VGS =0V -2V -1. 5V -1V -0. 5V 饱和区(放大区) 特点： ID只受VGS控制，而与VDS近似无关。 ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(off) VGS =0V -2V -1. 5V -1V -0. 5V 数学模型： 条件： VGS VGS(off) V DS VGS–VGS(off) 在饱和区，JFET的ID与VGS之间也满足平方律关系，但由于JFET与MOS管结构不同，故方程不同。 截止区 特点： 沟道全夹断的工作区 条件： VGS VGS(off) IG≈0，ID=0 击穿区 VDS 增大到一定值时 ? 近漏极PN结雪崩击穿 ID/mA VDS /V 0 VDS = VGS –VGS(off) VGS =0V -2V -1. 5V -1V -0. 5V ? 造成 ID剧增。 VGS 越负? 则VGD 越负? 相应击穿电压V(BR)DS越小 JFET转移特性曲线 同MOS管一样，JFET的转移特性也可由输出特性转换得到(略)。 ID =0 时对应的VGS值? 夹断电压VGS（off） 。 VGS(off) ID/mA VGS /V 0 IDSS (N沟道JFET) ID/mA VGS /V 0 IDSS VGS(off) (P沟道JFET ) VGS=0 时对应的ID 值? 饱和漏电流IDSS。 JFET电路模型同MOS管相同。只是由于两种管子在饱和区数学模型不同，因此，跨导计算公式不同。 JFET电路模型 VGS S D G ID IG?0 ID(VGS) + - gmvgs rds g d s id vgs - vds + + - S ID G D （共源极） （直流电路模型） （小信号模型） 利用 得 各类FET管VDS、VGS极性比较 VDS极性与ID流向仅取决于沟道类型 VGS极性取决于工作方式及沟道类型 由于FET类型较多，单独记忆较困难，现将各类FET管VDS、VGS极性及ID流向归纳如下： N沟道FET：VDS 0，ID流入管子漏极。 P沟道FET：VDS 0，ID自管子漏极流出。 JFET管：