模拟电路及技术基础课件2双极型晶体管及其放大电路.ppt

B E C N N P ICBO ICEO= ? IBE+ICBO IBE ? IBE ICBO进入N区，形成IBE。 根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。 集电结反偏有ICBO 3. 集电极穿透电流ICEO ICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。 4.集电极最大电流ICM 集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 5.集-射极反向击穿电压 当集---射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳 热为： PC =ICUCE 会导致结温 上升，所以PC 有限制。 PC?PCM IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 §2.3 放大的概念和放大电路的 主要性能指标 * 第二章 双极型晶体管及其放大电路 模拟电子技术基础 第二章 基本放大电路 §2.1 双极型晶体管的工作原理 §2.2 晶体管伏安特性曲线及参数 §2.3 晶体管工作状态分析及偏置电路 §2.4 放大器的组成及性能指标 §2.5 放大器图解分析法 §2.6 放大器交流等效电路分析法 §2.7 共集电极放大器和共基极放大器 §2.8 放大器的级联 2.1.1 基本结构 B E C N N P 基极 base 发射极 emitter 集电极 collector NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 PNP型 §2.1 双极型晶体管的工作原理 (bipolar junction transistor) C E B B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电区：面积较大 发射区：掺 杂浓度较高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 两种结构 三个区 两个PN结 三个极 四种偏置组合 三种组态 2.1.2 电流放大原理 B E C N N P EB RB EC IE 进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBN ，多数扩散到集电结。 直流偏置 发射结加正向电压集电结加反向电压 RC 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IEN。 IBN 基区空穴向发射区的扩散形成IEP ,可忽略。 IEP 一、 载流子传输过程 RC B E C N N P EB RB EC IE 集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。 ICBO IC=ICN+ICBO IBN ICN 从基区扩散来的电子作为集电结的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICN。 IB=IBN -ICBO IB B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICN IC=ICN+ICBO IBN IE ?IEN =IBN+ICN RC ICN与IBN之比称为共发射极直流电流放大倍数 含义：基区复合一个电子，则有 个扩散到集电区。范围：20 ~200 二、 电流分配关系 IC=ICN+ICBO IB=IBN -ICBO IE ?IEN =IBN+ICN IC=ICN+ICBO ICN = IC - ICBO 定义： ，称为穿透电流 IB=0 IC IB=IBN -ICBO 忽略ICEO ，有 当β1时，IC≈IE 共基极直流电流放大倍数 一般约为0.97 ~ 0.99 IB B E C N N P EB RB EC IE ICN IBN RC 三、 晶体管的放大作用 开关工作 BE结 BC结 工作状态 正偏 正偏 反偏 反偏 正偏 反偏 反偏 正偏 饱和 截止 放大 倒置 四种工作状态 三种组态 共发射极组态 发射极作为公共电极 用CE表示 共基极组态 基极作为公共电极 用CB表示共集电极组态 集电极作为公共电极 用CC表示 §2.2 晶体管伏安特性曲线及参数 实验线路 iC mA ?A V V uCE uBE RB iB EC EB RC 2.2.1 晶体管共发射极特性曲线 一、输入特性 UCE ?1V iB(?A) uBE(V) 20