光伏电池制备工艺.pptVIP

2. 开机　 3. 生产过程 　1）将装好硅片的小花篮放在花篮承载框中，然后将承载框搬到上料台上。 　　2）工艺槽温度设定和启动加热 　　3）加热制绒液体到设定温度以后，根据本班目标生产量在控制菜单上进行参数设置（包括粗抛、碱蚀、喷淋、鼓泡漂洗时间和产量的设置）。 　　4）参数设置完毕，在手动状态下按“复位”键，运行模式拨到“自动”状态，按“启动”键，机器进行复位，待机械手停止运动后即可上料生产。若不立即生产，则暂时拨回“手动”状态。 5）配制溶液　 6）生产过程控制 a. 机械手将承载框平移依次送到各处理工位，对硅片进行超声预清洗、制绒、盐酸中和、氢氟酸去氧化层，经过11(10)个处理工位全过程处理后，承载框由自动机械手移到出料工位，再由操作员将小花篮取出。 　　11(10)个处理工位具体为：超声预清洗→温水漂洗→腐蚀制绒（→喷淋）→漂洗→HCl处理→漂洗→HF处理→漂洗→喷淋→漂洗。 　　b. 每制绒一篮，粗抛液、制绒液内都要补充NaOH，补充量根据消耗量确定，并适当补充去离子水。 7）甩干 甩干员将甩干后的硅片取出，并填写好《工艺流程卡》，通过传递窗流向下一道PECVD工序 8）自检 自检时，主要观察是否有裂痕、缺角、崩边、指纹印、污渍、药液水珠、明显发白及发亮，均无的为制绒合格，正常往下流。工序长每隔1000片抽测5片减重情况 9）关机 工艺卫生要求 　　1）不允许用手直接接触硅片，插片时配戴一次性手套，插完硅片后，应立即更换，不得重复使用。 　　2）制绒车间要保持清洁，地面常有碱液或干碱，要经常打扫。 　　3）盛过碱液或乙醇的塑料桶要及时刷洗，不可无标识长时间用桶盛碱液或乙醇。 　　4）物品和工具定点放置，用过的工具要放回原位，严禁乱放，保持硅片盒和小花篮清洁。 　　5）每班下班前要对制绒设备进行卫生清理。 注意事项 　　1）停做滞留的硅片要用胶带封好箱，标签注明材料批号、供应商和实际数目。 2）每批投片前要检查化学腐蚀槽中的液位，不合适的要及时调整。 3）小花篮和承载框任何时候不能放在地上。 4）严格控制标准检查绒面质量，绒面不合格的硅片要按照检验卡片和工序控制点操作，按照规定的程序进行处置。 5）硅片在制绒槽时，绝不能拿出硅片检查绒面情况，要进入漂洗槽后再查看绒面情况。 　　6）操作化学药品时，一定要带好防护手套。 　　7）制绒设备的窗户在不必要时不要打开，机器设备在运行时，不得把头、手伸进机器内，以防造成伤害事故。 　　8）制绒机卫生保养时，要防止电线浸水短路，擦洗槽盖时要防止制溶液的污染 　 各原料在制绒中的规律 55g/l 15g/l 5g/l 硅酸钠含量影响： 增加溶液的粘稠度，调节反应速度；只要判定它的含量是否过量即可。实验用浓盐酸滴定，若滴定一段时间后出现少量絮状物，说明硅酸钠含量适中；若滴定开始就出现一团胶状固体且随滴定的进行变多，说明硅酸钠过量。 30vol% 无IPA 3vol% 翘曲度 翘曲度指的是硅片中位面与基准面最大最小距离的差距的差值。翘曲度过大的硅片在组件层压工艺中易碎片，硅片翘曲度的要求一般为＜50μm。有翘曲度的硅片及翘曲度的测量工具如图 中位面—与硅片上表面和下表面等距离的面 弯曲度 弯曲度是硅片中心面明显凹凸形变的一种变量，弯曲度过大的硅片在组件层压工艺中易碎片，对于156×156mm硅片的要求一般为≤75μm。弯曲的硅片与检测工具如图： 弯曲度—硅片中心偏离基准平面的距离。 针孔 材料在长晶时，混有微小的金属杂质，这些杂质在长晶过程中进入晶体，切片后在制绒阶段杂质被腐蚀掉，出现针孔。对于硅片的要求应该无针孔。不良品如图 微晶 微晶是指每颗晶粒只由几千个或几万个晶胞并置而成的晶体，从一个晶轴的方向来说这种晶体只重复了约几十个周期。对于多晶硅片、单晶硅片微晶常常表现为微晶脱落，对于硅片的要求为微晶脱落不能超过两处。如图1-15所示的具有微晶现象的多晶硅片，此图中的微晶面积＞2cm2、晶粒数超过了10个，1cm长度上的晶粒数超过了10个。 缺口 缺口一般在硅片的边缘与倒角处，常见的为上下贯穿边缘的缺损。常见如图 崩边 崩边一般为晶片表面或边缘非有意地造成脱落材料的区域，由传送或放置样品等操作所引起的，崩边的尺寸由样品外形的正投影上所测量的最大径向深度和圆周弦长确定。对于常见156×156mm的硅片，崩边的要求为：崩边个数≤2个、深度≤0.3mm、长度≤0.5mm。常见有崩边的硅片如图 连续性崩边的片子 污物 污物一般为半导体晶片上的尘埃、晶片表面的污染物，且不能用预检查溶剂清洗去除。对于晶片的要求为无污物。常见有污物的晶片如图所示，图a脏污片杂质的主要是