第一章51通信光电子器件基础知识.pptVIP

* 半导体双异质结 (Double Hetero Structure) 由两层宽带隙层材料和位于它们之间的窄带隙层材料组成 通常包含一个同型异质结和异型异质结 双异质结 * 同质结与双异质结的能带特性比较 双异质结 平衡状态下的能带图 加正向偏置时能带图 辐射复合主要发生在窄带隙层，有源层。 同质结 双异质结 具有更高的载流子注入效率和光场限制作用，因此具有更高的出光效率，被广泛采用！ * 小结 直接带隙材料和间接带隙材料 费米能级 统一的费米能级存在于热平衡状态 准费米能级 半导体中光与电子的相互作用 P-N结 形成：多子扩散vs.少子漂移的动态平衡过程！ 能带结构：P区整体提高，N区整体下降，耗尽区能带弯曲，最后形成统一的费米能级。 P-N结的偏置 正向偏置：外部激励满足导带、价带准费米能级差大于半导体的禁带宽度——产生光增益 反向偏置：光照作用下产生光生载流子——形成光电流 同质结和异质结，双异质结 * * MEMS是一种全新的必须同时考虑多种物理场混合作用的研发领域，相对于传统的机械，它们的尺寸更小，最大的不超过一个厘米，甚至仅仅为几个微米，其厚度就更加微小。采用以硅为主的材料，电气性能优良，硅材料的强度、硬度和杨氏模量与铁相当，密度与铝类似，热传导率接近钼和钨。采用与集成电路（IC）类似的生成技术，可大量利用IC生产中的成熟技术、工艺 ，进行大批量、低成本生产