内置MosFet BJT封装产品培训产品培训.pptxVIP

内置MOSFET BJT封装产品培训编写部门：技术部拟 制：王晓春、杨千栋、周朝峰审 核：冯学贵引言 我司目前封装的芯片一般为IC（集成电路）、Mosfet管（金属-氧化层?半导体场效晶体管）、BJT（双极结型晶体管）、MEMS（微机电系统）4类芯片的封装加工。 今天我们主要认识内置Mosfet管和BJT管产品的相关封装技术知识点。定义IC（integrated circuit）集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构.MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）：金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。BJT（Bipolar Junction Transistor—BJT）是双极结型晶体管的缩写，又常称为双载子晶体管。它是通过一定的工艺。将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构.MEMS（Micro-Electro-Mechanical Systems）是微机电系统的英文缩写。它是采用微型结构，由微传感器、微执行器、信号处理和控制电路、通讯接口和电源等部件组成的一体化的微型器件系统，具有传感、制动、三维结构功能多样性。 形状Gate栅极Emitter发射极Source源极Base基极Drain漏极Collector集电极Mosfet管芯片外形BJT管芯片外形IC芯片外形MOSFETBJT管BJT管压焊图IC压焊图Mosfet管压焊图Mosfet管 BJT管结构Mosfet管内部结构BJT管内部结构工作原理（Mosfet管）Gate栅极SourceDrainGateSource源极Drain漏极原理: 当一个够大的电位差施于MOSFET的G栅极与S源极之间时，电场会在氧化层下方的半导体表面形成感应电荷，而这时所谓的“反转通道”（inversion channel）就会形成。通道形成后，MOSFET即可让电流通过。工作原理（BJT管） 三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制（假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话），并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数（β一般远大于1，例如几十，几百）。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。Mosfet BJT产品导入流程资料及评审资料输入： 1)MOS芯片规格书; 2)BJT芯片规格书； 3)封装产品信息表.输出资料： 1)压焊图; 2)高温高压漏电测试结果.Mosfet管、BJT管的封装形式： 1)DIP007; DIP008; 2)SOP006; SOP007; SOP008; 3)MSOP008; MSOP010; 4)SOT233/235/236; SOT089; SOT223; 5)TO系列产品。压焊图设计两个芯片的产品（A芯片是IC，B芯片为Mosfet或BJT管）尽量选择双基岛的框架；对于尺寸小的Mosfet管产品，尽量选用与基岛相匹配的带锁定孔的框架，可改善塑封的分层。同时装片位置尽量靠近管脚，可使线长缩短，降低RDSON；相邻I/0电气通路电位差线之间有效物理空间间距要求【仅作为参考推荐值设计应用】：芯片位置及布线原则参阅案例；材料选择： 粘片胶： 导电胶，选择导电好、导热好的导电胶； 焊 线:对于高压、高电流Mosfet、BJT需要核对焊线的数量及规格 塑封料： DIP007/008 BJT产品优选SP-G260塑封料，其余封装形式按照规划的塑封料封装。焊线方式相邻I/0电气通路电位差（V）线与线间距（um）线与芯片间距（um）线与载体或管脚（um）双基岛间距（um）基岛与管脚间距（um）管脚与管脚（um）标准连线≤5≥50≥50≥50NANANA交差连线≤20≥100≥100≥100NANANA高压连线＞400≥150≥150≥150NANANANote：NA指以引线框架设计基本尺寸标准。封装技术Void装片空洞： 空洞面积大于10%芯片面积为不良（图a）；焊线原则【2D双芯间连线（BSOB）产品布线原则】： ①从焊窗尺寸小的芯片打到焊窗尺寸大的芯片； ②从铝垫下有器件的焊点到铝垫下无器件的焊点连线； ③从铝垫薄的