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- 2016-12-14 发布于重庆
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* * * * * * * * 模拟、数字电子及电力电子 第一天 目录 第一章 模拟电子基础知识 第二章 直接耦合放大器及反馈 要点一:半导体 第一章 基础知识 杂质半导体分:电子型(N型)半导体空穴型(P型)半导体 N 型半导体:在硅(或锗)半导体晶体中,掺入微量的五价元素。自由电子浓度大大增加的杂质半导体,也称为电子半导体。 P 型半导体:在硅(或锗)半导体晶体中,掺入微量的三价元素。空穴浓度大大增加的杂质半导体,也称为空穴半导体。 N 型半导体中空穴是少子,电子是多子。 P 型半导体中空穴是多子,电子是少子。 1 .空穴为少子的的半导体称为 A.P型半导体B.N型半导体 C.纯净半导体D.金属导体 2 .本征半导体硅或者锗中掺入微量三价元素后,其中多数载流子是 A.自由电子B.空穴 C.正离子D.负离子 3 . N型半导体的多数载流子是 A.自由电子B.空穴 C.正离子D.负离子 4 . 杂质半导体中的少数载流子的浓度取决于 A.掺杂浓度B.制造工艺 C.晶体结构D.温度 (B) (B) (A) (D) 要点二:二极管 多数载流子因浓度上的差异而形成的运动称为扩散运动。 (1)PN结的形成 漂移运动和扩散运动的方向相反。 二极管正向导通状态时,其两端电压: 硅材料:0.6---0.8V 锗材料:0.1---0.3V (2)PN结的单向导电性 PN结外加正向
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