模拟电子技第4章10_401001325.pptVIP

第4章 MOS集成电路的基本单元电路（18）引言 1. FET与BJT的对应关系 ?电极: Ｇ　Ｂ；Ｓ　Ｅ；Ｄ　Ｃ ?类型：N沟道　　NPN；Ｐ沟道　　PNP ?控制关系： iＤ=f(?GS,?DS) ； iC=f(?BE,?CE) ?电路组态与结构: CS CE； CG　 CB;　CD 　CC ?分析方法：图解法；等效电路法 ?基本结论 2. FET的特殊问题 ? FET除分N , P沟道外还有增强型, 耗尽型 注意偏压极性要求 ? FET iG ?0（直流和低频下） ? FET有衬底调制效应 第4章 MOS集成电路的基本单元电路 4.1 MOS场效应管的基本特点 复习P214～P215 4.2 MOS场效应管的交流小信号模型和三种组态放大电路 4.2.1 MOS场效应管的小信号模型一、什么是小信号阅读P215～P217，理解：(1) (4.2.1)式的意义：Vsm= 4D(VGSQ-VGS(th))Vsm?0.2(VGSQ-VGS(th))，D ?5％(2) MOS管输入小信号范围的决定因素：(VGSQ-VGS(th))(3) MOS与BJT输入小信号范围的不同小信号的幅度与VGSQ-VGS(th)有关MOS的小信号的幅度比BJT的大 4.2.1 MOS场效应管的小信号模型（续） 二、MOS管的低频小信号模型（饱和区） 1. 推导iD= kP/2?W/L(?GS- VGS(th))2(1+??DS)diD= id , d?GS = ?gs , d?DS = ?ds, 　小信号电流方程　id = gm?gs+ ?ds/rds 4.2.1 MOS场效应管的小信号模型（续） 　 ?等效电路 　　 id = gm?gs+ ?ds/rdsId = gmVgs+Vds/rdsIg = 0 2. 考虑衬底调制效应的模型 注意两个受控源同方向 3. 模型参数gm：三种形式(4.2.3)式? (4.2.5)式rds： (4.2.6)式 注意：饱和区模型(等效电路) 4.2.1 MOS场效应管的小信号模型（续） 三、高频交流小信号模型完整的模型：在低频模型基础上加五个电容 　　(参见图2.1.20)vbs=0的模型注意： Cgb已包括在Cgs之内（应为Cgs+Cgb） 4.2.1 MOS场效应管的小信号模型（续） 四、MOS管的特征频率fT定义：输出交流短路时电流增益Id/Ig=1时的频率计算fTfT 与工作点有关讨论：MOS管fT和BJT fT公式的比较fT ? 4.2.2 基本共源极放大电路电路形式一、直流工作点(vGS=VGG)直流通路解析计算IDQ? kP/2?W/L(VGG-VGS(th))2（忽略VDS的影响）图解法思考题：如果不忽略VDS的影响，如何计算工作点？ 4.2.2 基本共源极放大电路（续） 二、低频动态特性 ?低频等效电路增益Av= Vo/Vi = - gmVgsR?L/Vi= - gmR?L ?输入电阻 Ri : Ri= ? ?输出电阻 Ro : Ro= RD//rds ?与CE放大电路比较CE: Av= -?R?L/rbe? -? R?L/rb?e = - gmR?L忽略rb?b后公式相同一般rds不能忽略 4.2.2 基本共漏极放大电路 ? 电路形式 ?源极跟随器 一、直流工作点直流通路工作点计算 IDQ? kP/2?W/L(VGSQ-VGS(th))2 VGSQ= VGG-RIDQ图解法（思考题） 4.2.2 基本共漏极放大电路（续） 二、低频动态特性 ?低频等效电路增益Vo = gmVgsR?LVi =Vgs+ Vo =(1+gmR?L)VgsAv= Vo/ Vi = ?输入电阻 Ri ?输出电阻 RoRo = R// rds//(1/gm)? 1/gm ?特点 ?与CC放大电路比较（思考题） 4.2.2 基本共栅极放大电路电路形式低频等效电路增益Av=Vo/Vi=gmRD ?输入电阻 RiRi=Vi /Ii =1/gm ?输出电阻 RoRo = RD//[(1+ gmRs)rds] ? RD ?特点 ?近似条件：gm??1/ rds, rds ?? RD ?与CB放大电路比较（思考题） 4.3 MOS管有源电阻和电流源 4.3.1 MOS管有源电阻 一、增强型MOS管有源电阻电路形式 　　D、S间二端器件特点：vGS = vDS；伏安特性；工作于饱和区； ?等效电路与等效电阻 r = Vds/ Id= (1/gm)??(1/gmb)??rds= 4.3.1 MOS管有源电阻（续） 二、耗尽型MOS管有源电阻电路形式特点：vGS=0；类似电流源等效电阻r =(1/gmb)??rds= 三、有源电阻的应用(阅