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PHOTO 知识问答 光刻工艺基础知识PHOTO! i( N4 \ E0 h6 t光刻工艺基础知识PHOTO (注：引用资料) 9 v+ m( @4 E; r( I( j( z \2 L　　光刻工艺基础知识3 C??s4 ` d m/ mPHOTO 7 j4 y- o F* f??v　　PHOTO 流程? 1 r- Z* _1 J% a2 W% s　　答：上光阻→曝光→顯影→顯影後檢查→CD量測→Overlay量測 8 h5 d e7 V$ F4 q( o; T6 F; _　　何为光阻？其功能为何？其分为哪两种？ # B, P \; Q. J9 J2 T e5 a　　答：Photoresist(光阻).是一种感光的物质，其作用是将Pattern从光罩(Reticle)上. ]??o* k3 s5 W1 ~ A8 J# y% y传递到Wafer上的一种介质。其分为正光阻和负光阻。 / S8 K( g3 c8 Z8 H9 c; K+ O　　何为正光阻?  } Z7 S6 F/ i9 j9 q　　答：正光阻，是光阻的一种，这种光阻的特性是将其曝光之后，感光部分的性质会改+ w9 F7 h0 G7 _3 e变，并在之后的显影过程中被曝光的部分被去除。 3 | u4 b e; _ ~* A　　! t* [) `! T8 x??f C9 R) s6 i　　何为负光阻? 2 K3 X1 U Q a　　答：负光阻也是光阻的一种类型，将其曝光之后，感光部分的性质被改变，但是这种3 ?) P??u. v; b+ @, I W4 V光阻的特性与正光阻的特性刚好相反，其感光部分在将来的显影过程中会被留下，而没有) S( B H/ r; R) j# j被感光的部分则被显影过程去除。 $ r??r4 t7 B1 ~ z9 T　　7 i+ C0 Y @9 S! U. |　　什幺是曝光？什幺是显影？ 6 L9 O4 y; p: P5 S1 T! m( c　　答：曝光就是通过光照射光阻，使其感光；显影就是将曝光完成后的图形处理，以将 f# ]: T$ _0 y# O# M??h( o3 ^! Z图形清晰的显现出来的过程。 : q! U) ]3 N% r3 A- E1 u- X　　何谓 Photo? ; L2 T1 N- m$ k* O4 d p/ B　　答：Photo=Photolithgraphy,光刻，将图形从光罩上成象到光阻上的过程。 6 h) t3 q, M, \　　Photo主要流程为何? * u5 E K9 j ~- \; _2 q　　答：Photo的流程分为前处理，上光阻，Soft Bake, 曝光，PEB，显影，Hard Bake等0 m K( ] Z2 R j+ G, F$ p R7 S5 s。 % h, ^- s7 o! n1 R9 q$ M! k　　何谓PHOTO区之前处理? ! ^5 B# q/ q5 c9 Y8 [4 Z. l　　答：在Wafer上涂布光阻之前，需要先对Wafer表面进行一系列的处理工作，以使光阻2 N5 K5 N* W* r能在后面的涂布过程中能够被更可靠的涂布。前处理主要包括Bake，HDMS等过程。其中通) Y) d- q- g( t$ i0 ^过Bake将Wafer表面吸收的水分去除，然后进行HDMS工作，以使Wafer表面更容易与光阻结. }# M$ B M* R D合。 + o2 F! v0 o- A; ~??[　　何谓上光阻? 8 | x( v/ Z u( { F2 S! W, l　　答：上光阻是为了在Wafer表面得到厚度均匀的光阻薄膜。光阻通过喷嘴（Nozzle）被. A5 U. j3 j3 W3 \喷涂在高速旋转的Wafer表面，并在离心力的作用下被均匀的涂布在Wafer的表面。 - c??^( T0 u5 S% h( f8 F3 ^; i! o# q　　何谓Soft Bake? / ?: Y T7 l6 l??X　　答：上完光阻之后，要进行Soft Bake，其主要目的是通过Soft Bake将光阻中的溶剂/ I3 K. U! {0 q$ a7 z D# @蒸发，并控制光阻的敏感度和将来的线宽，同时也将光阻中的残余内应力释放。 9 |- ` U4 |. S$ A　　何谓曝光? # u0 g??^) Z5 H) n/ S　　答：曝光是将涂布在Wafer表面的光阻感光的过程，同时将光罩上的图形传递到Wafer; S/ n??`; c1 K, y上的过程。 * [. T% r8 ~) B5 w) o; I6 g$ b??x　　何谓PEB(Post Exposure Bake)? |3 ?4 [5 a8 M# Q　　答：P