集成电路设计基础Ch05IC有源元件与工艺流程.pptVIP

集成电路设计基础 王志功 东南大学 无线电系 2004年 第五章 IC有源元件与工艺流程 5.1 概述5.2 双极性硅工艺 5.3 HBT工艺5.4 MESFET和HEMT工艺 5.5 MOS工艺和相关的VLSI工艺 5.6 PMOS工艺5.7 NMOS工艺 5.8 CMOS工艺5.9 BiCMOS工艺 第五章 IC有源元件与工艺流程 5.2 双极性硅工艺 早期的双极性硅工艺：NPN三极管 5.2 双极性硅工艺 先进的双极性硅工艺：NPN三极管 5.3 HBT工艺 5.4 MESFET和HEMT工艺 GaAs工艺：MESFET GaAs工艺：HEMT Main Parameters of the 0.3 mm Gate Length HEMTs 与Si三极管相比，MESFET和HEMT的缺点为: 跨导相对低; 阈值电压较敏感于有源层的垂直尺寸形状和掺杂程度； 驱动电流小 由于跨导大，在整个晶圆上，BJT的阈值电压变化只有几毫伏，而MESFET，HEMT要高十倍多。 5.5 MOS工艺和相关的VLSI工艺 MOS工艺的特征尺寸Feature Size 特征尺寸: 最小线宽 ? 最小栅长 5.6 PMOS工艺5.6.1 早期的铝栅工艺 1970年前，标准的MOS工艺是铝栅P沟道。 铝栅PMOS工艺特点： l 铝栅，栅长为20?m。 l