第8章-磁畴.ppt

附录：F(d/h)函数的讨论 当d/h1时，F(d/h)函数可以展成级数形式， F(d/h)=(d/h)-(2/pi)(d/h)2+(1/4)(d/h)3… 或写成 F(x)=(x)-(2/pi)(x)2+(1/4)(x)3… 有关系式 dF/dx=1-(4/pi)(x)+(3/4)(x)2… 所以，在x=0 (d/h=0)处，dF/dx|x=0=1 综上所述，产生磁泡的条件：（1）材料具有一定的单轴各向异性 。 （3）当薄膜的厚度为h=4l时，产生磁泡的最小泡径为dmin=4l，而相应的外场 （2）外场满足 （三）多晶体的磁畴结构 在多晶中，每一个晶粒都有自己的易磁化方向，在晶粒边界处，由于晶界两侧的晶粒的取向不同，在一般情况下，在晶粒边界上会出现自由磁荷，引起退磁场能增加。因此多晶体中磁畴结构要出现稳定结构，只有相邻晶粒中磁畴取向尽可能使晶界上少出现磁荷，退磁场能才会最小。 如果晶界上存在自由磁荷，退磁场能足够高时，也会在多晶体的晶粒边界上形成一定大小的楔型附加畴。因此，多晶体中的晶粒边界也是产生附加畴的一个发源地。 三、单畴结构的计算 在大块材料中，若不形成多畴，则退磁场能很高，所以大块材料以多畴形式最稳定。多畴的大块材料只有在很强的外磁场作用下，才会磁化至饱和状态，整个材料的磁矩基本上取在一个磁化方向上（外场方向），近似一个单畴。 若铁磁材料的尺寸变得很小，成为多畴时的畴壁能比单畴的退磁场能还高，这时材料有可能不分畴，只好形成单畴。这样的小颗粒称为单畴颗粒。 （一）单畴临界尺寸 所谓临界尺寸是指铁磁体颗粒的尺寸小于某一尺寸时，整个晶体成为一个单畴，能量最低，结构最稳定。当铁磁体的尺寸大于该尺寸时，具有多畴结构。 大致计算方法：首先提出磁畴结构模型，然后计算各种能量加以比较，能量最低的畴结构最稳定，依此判断是多畴还是单畴。 假设所考虑的铁磁体为球形颗粒。以下给出几种可能的磁畴结构 (a)铁磁体的各向异性非常弱，磁矩取圆形磁通闭合式结构。 (b)具有三易磁化轴的立方晶体，磁晶各向异性比较强，磁化矢量都在易磁化方向，且互相垂直。 (c)强的单轴磁晶各向异性晶体，形成180畴壁。 (d)单畴。 因为临界尺寸R0代表单畴和多畴的分界点，故这时的单畴和多畴的能量相同。 对于单畴情况，单位体积的退磁场能为 整个单畴颗粒的退磁场能是 对于形成90畴壁的立方晶体（K10），退磁场能和各向异性能均可忽略，只需考虑畴壁能，其为 比较以上二式， 退磁场能 为体积能； 畴壁能 为面积能。 在R增大时，退磁场能增加快，多畴时的畴壁能小，多畴更稳定； 在R减小时，单畴的体积能减小得快，单畴更稳定； 在临界尺寸R0时，二者相等， 由此可以计算出临界半径 （此式为K10时的立方晶体的临界半径） （二）弱磁晶各向异性晶体的单畴临界尺寸 这种晶体因为磁晶各向异性小，其中的磁矩可沿球的圆周方向排列，没有自由磁荷（退磁能）。但是由于相邻磁矩之间有一定的夹角，交换能增加。设在一个圆周上，周长为 ，若原子间距为a，那么该圆周上相邻磁矩之间的夹角为 相邻原子间交换能增量为 在一个圆圈上原子所具有的交换能为 球形颗粒可以认为是由很多空心圆柱组成，每一个空心圆柱体由 个圆环组成，每一个圆柱的交换能=圆环的交换能*圆环的个数，即 整个球型颗粒的总交换能 在临界尺寸为R0时，满足 即 （三）单轴磁晶各向异性晶体的单畴临界尺寸 单轴各向异性晶体的多畴球形颗粒，主要考虑退磁场能和畴壁能，畴壁为180壁，畴壁能 退磁场能可以看成单畴的一半 因此，临界尺寸时， 得到 综上所述，各种不同材料的晶体颗粒，都有它们自己的临界尺寸。单畴颗粒不存在畴壁，不会有畴壁位移磁化过程，只有磁畴转动过程。若各向异性较高时，用这种颗粒做成永磁材料，会具有高的矫顽力。相反如果软磁材料中颗粒太小，成为单畴颗粒，则会降低磁导率。 5.5 薄膜的磁畴结构 磁性薄膜的磁畴结构随薄膜的厚度不同而变化。 一、薄膜的畴壁和磁畴结构 在前面的讨论中，曾经指出，布洛赫壁取向要求畴壁面上不出现自由磁荷。但是畴壁与铁磁晶体表面交界处不可避免地出现磁荷。当铁磁晶体的尺寸变得足够小变成薄膜时，这个表面退磁场对布洛赫壁的影响就显得十分重要。 长轴L方向的退磁因子 。由于在薄膜上下表面分布的自由磁极是不均匀的，畴壁中间最大，两边为零。因此椭球柱体中的磁化强度要引进平均磁化强度。 以下估计布洛赫壁中表面退磁场的影响： 如果将表面中的布洛赫壁看成一个椭圆界面的柱体。椭圆的长轴为L短轴为 这里， 为MS对y轴的夹角，它是x的函数，写成 当 时， 当x=