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电力电子半导体器件 参考书 1.电力电子器件及其应用 李序葆、赵永健 编著 机械工业出版社 2.现代电力电子技术 张 立、赵永健 编著 科学出版社 3.现代电力电子电路 林渭勋 编著 浙江大学出版社 第一章 绪 论 §1.1 电力电子技术(Power Electronics) ----以电力为对象的一门新兴高新技术学科。 二、组成 1.电力电子器件 2.变流电路 3.控制电路 三、电力电子技术的发展 §1.2 电力半导体器件分类 现代电力电子技术发展与电力半导体器件的发展密不可分，随新型控制器件的诞生，新型变换电路也相应有所突破。 工业领域变流装置的变化过程 3、混合型器件：双极—MOS型器件 §1.3 全控型器件的比较 §1.4 变流电路与控制技术 §1.5 电力电子技术的应用与未来 第二章 功率二极管 §2.1 PN结 §2.2 二极管特性与参数 §2.3 二极管分类与参数实例 一、PN结形成 采用合金法、扩散法、外延生长法、离子注入法在本征半导体中掺入微量杂质构成。 二、单向导电性： 其中： 三、PN结反向击穿：反向电压超过VBR时，可能损坏PN结 1．雪崩击穿：掺杂浓度较低的PN结，VBR7V 2．齐纳击穿：掺杂浓度较高的PN结，电场2x105V/cm 3．热击穿：由于发热，导致载流子数目增多，形成大 电流。——一般损坏管子 控制结温 1250—1750C 四、电容效应： PN结中电荷量随外加电压而变化，呈电容效应。 结电容Cj （微分电容）影响PN结工作频率，失去单向导电 性，不能正常工作。 1．势垒电容：PN结正偏时，空间电荷区变窄；反偏时，增宽。随外加电压变化，空间电荷区电荷量变化，引起电容效应。 与PN结面积成正比，与阻挡层厚度成反比 2．扩散电容： PN结正偏时，扩散电流是由电子和空穴复合形成，扩散长度内存储了一定数量的电荷，正向电流越大，存储电荷越多，随电压变化具有电容性质。 τ ：载流子的平均寿命 一般：反偏时，以CB为主；正偏时，以CD为主。 Cj= CB+ CD PN结加引线，封装构成；有分立式和模块式。 分为：单管、半桥、全桥。 一、伏安特性： VTO：门槛电压 硅：0.5V 锗：0.1V VF：导通压降 硅：0.6—0.8V 锗：0.1—0.3V VBR：反向击穿电压，几伏—几千伏 VBR IS IS：反向饱和漏电流，很小。 随温度增加，VF减小，IS增大 90% ton 10% trr 二、开关特性 1．反向恢复时间：trr=td+tf td:延迟时间；PN结存储电荷耗散时间，产生反向电流-IR tf：电流下降时间 2．正向恢复时间：ton 建立正向电流所需的时间。 三、性能参数 1．额定正向平均电流IF 管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 定额方法：在指定壳温，规定散热条件下，二极管流过工频正弦半波的平均电流。要求该电流下，管子正向压降引起的损耗使结温升高不超过最高允许结温。 *正向电流以发热条件定义，应用中按有效值相等条件来选取二极管的定额。 * * 一、定义 按美国电气和电子工程协会（IEEE）电子学会的定义：有效地使用电力半导体器件、应用电路和设计理论及分析开发工具，实现对电能的高效能变换和控制的一门技术，它包括电压、电流、频率和波形等方面的变换。 ----以电力电子器件制造技术为核心 ----以电力电子器件为核心的主电路 ----以控制理论为核心的电子线路 电力电子学 电子 电路 器件 静止 电力 旋转 模拟 数字 控制 1956年，第一个晶闸管（SCR）的发明，标志电力电子 技术的诞生。 1、传统电力电子技术阶段（1957-----1980年） 1947年，第一只晶体管诞生，半导体电子学应运而生。1956年，晶闸管问世，半导体电子学产生两个分支。 ① 两个分支 分支一：以晶体管集成电路为核心形成对信息处理的微电子 技术。