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微电子器件应用可靠性 实例：单稳态多  谐振荡器 CMOS器件的防闩锁应用 避免大电容负载 （500pF) CMOS器件的防闩锁应用 电源的电流容量不宜过大 CMOS器件的防闩锁应用 同一设备中的CMOS电路应避免使用两种不同电压的电源，或者电源电压一样，但建立时间不一样 CMOS器件的防闩锁应用 尽量避免输入端同时接入多个延迟时间不同的电路 CMOS器件的防闩锁应用 开机次序：交流开关，直流开关，信号源开关 关机次序：信号源开关，直流开关，交流开关 多余输入端不允许悬空：在不影响电路功能的前提下，可接高电平、低电平或其他输入端 信号电压限制；输入电压和输出电压的幅度不能超过电源电压 避免端口误接：电源电源极性不能颠倒，输出端不能与电源端短路 Part4 可靠性防护元件 对防护元件的基本要求 引入损耗尽量低 时间响应尽量快 吸收能量（过流、耐压、承受功率）尽量大 常用防护元件 瞬变电压抑制二极管（TVS）：防浪涌，常用于器件级保护和板级保护 氧化锌压敏电阻（变阻器）：防浪涌，常用于整机级高压保护 PTC热敏电阻：过热保护 NTC功率热敏电阻：冷浪涌保护 铁氧体磁珠：高频干扰保护 瞬变电压抑制二极管 分类 单向：用于直流电路 双向：用于交流电路 参数 保护电压6～200V 最大电流1～150A 吸收功率500～1500W 响应时间5ns 瞬变电压抑制二极管 压敏电阻 分类 氧化锌压敏电阻 碳化硅压敏电阻 参数 保护电压30～5000V 电流容量1～20kA 能量容量1000J/cm3 响应时间25ns~2us 用途 作用：浪涌保护、防雷、灭弧、消噪 低压电器保护：电视机、计算机、电话机、保安系统 高压电器保护：发电机、变压器、配电盘、变频电源 压敏电阻 压敏电阻 断开电感负载时产生的浪涌电压 开关电源，功率管驱动变压器或继电器负载 输出从低电平向高电平瞬时转换时出现 电感越大，浪涌电压越高 易引起器件击穿 抑制方法 并接电阻：但增加功耗 并接RC支路：易产生共振 并接二极管：可能影响电路速度 齐纳二极管：钳位电压应适当 断开电感负载时产生的浪涌电压 继电器产生的浪涌脉冲 继电器线圈电感产生的浪涌电压 继电器触点放电产生的浪涌电流 驱动白炽灯时产生的浪涌电流 来源 冷电阻浪涌：开启瞬间 闪烁浪涌：失效瞬间 对策 采用分流电阻 采用限流电路 交流电网引起的浪涌 雷电 直接雷击：1000kV 雷电感应：线间6kV，对地12kV 开关 大型电气设备的通断：常规电压的3～4倍 三相电未同时投入：常规电压的2～3.5倍 接地 对地短路时：常规电压的2倍 接地开路时：常规电压的4～5倍 供电电源引起的浪涌 开关电源：滤波不良 线性电源：开关瞬间 TTL电路的防浪涌应用 具有图腾柱或达林顿输出结构的TTL电路不宜并联使用 电源端与地端不能错接，输出端不能对电源或地端短路 未使用的输入端不宜悬空，更不能接开路长线 闲置不用的门电路应处于截止状态，以节省整机功耗 输入信号的脉冲宽度必须长于传播延迟时间，上升沿或下降沿尽量陡（逻辑电路1us，时钟电路150us) 长线输入接500?～1k ?上拉电阻，驱动长线接51?串联电阻 微电子器件的防静电应用 静电的产生 摩擦：绝缘体与绝缘体，绝缘体与导体 感应：导体与带电体 微电子器件防静电应用 静电的来源 人体：接触面广，活动范围大，与大地之间的电容小（150pF)，电阻低(1千欧） 器件载体：包装容器，夹具，传送导轨 周边环境：工作台，地板 影响静电的因素 运动的速度 材料性质的差异 物体之间的电容 环境湿度 物体的电阻 器件静电敏感性的差别 甚敏感器件 MOS器件：MOSFET，VDMOS，MOS电容 栅控器件：JFET，SCR 微波与射频器件： GaAs MESFET，HEMT，MIMIC 敏感器件 MOS数字电路：CMOS，NMOS，存储器与微处理器 小信号模拟电路：运算放大器，A/DD/A 双极数字电路：TTL，STTL，ECL 中等敏感器件 双极器件：pn二极管，双极晶体管 阻容元件 过电压场致失效 现象：MOS器件栅击穿，双极器件pn结击穿 因素：输入电阻越高，输入电容越小，越容易失效 过电流热致失效 现象：直接烧毁，诱发闩锁效应或二次击穿效应 因素：电流截面越小，对地电阻越低，环境温度越高，越容易失效 静电放电失效的类型 微电子器件防静电应用 防静电材料（不易产生静电，合理泄放静电） 放电电流与时间适中 绝缘材料＋半导电添加剂 105~109?/ 静电耗散材料 放电时间过长 木制品、纸制品 109~1014?/ 抗静电材料 放电电流过大 金属材料和体导电塑料 109?/ 导电防护材料