18-化学机械平坦化.ppt

1．氧化硅抛光: 氧化硅抛光是用来全局平坦化金属层之间淀积的ILD介质的。 氧化硅CMP的基本机理是磨料中的水与氧化硅反应生成氢氧键，降低了氧化硅的硬度、机械强度和化学耐久性。抛光过程中，在硅片表面会由于摩擦而产生热量，这也降低了氧化硅的硬度。这层含水的软表层氧化硅被磨料中的颗粒机械的去掉。 氧化硅抛光速率受压力和运动速率的影响。 R=KPV 其中，R是抛光速率（单位时间内磨去的氧化硅厚度） P 是所加压力 V是硅片和抛光垫的相对速度 K与设备和工艺有关的参数，包括氧化硅的硬度、抛光液和抛光垫等参数 CMP 氧化硅机理 SiO2 层 抛光垫 Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si Si CMP系统 (5) 副产物去除 (1) 磨料喷嘴 副产物 (2) H2O OH- 运动到硅片表面 (4) 表面反应和 机械磨损 排水管 磨料 (3)机械力将磨料压到硅片中 Si(OH)4 旋转 Si Si Si 2．金属抛光： 金属CMP的机理与氧化硅抛光的机理不同。磨料与金属表面接触并氧化它，例如在铜CMP中，铜会氧化生成氧化铜和氢氧化铜，然后这层金属氧化物被磨料中的颗粒机械地磨掉。一旦这层氧化物去掉，磨料中的化学成分就氧化新露出的金属表面，然后又被机械地磨掉，这一过程就这样重复进行。 金属CMP的机理 抛光垫 2) 机械磨除 旋转 表面刻蚀 和钝化 3) 再钝化 磨料 向下施加力 氧化硅 金属 氧化硅 金属 氧化硅 金属 3．图形密度效应： 图形间距窄的区域，即高图形密度区域，通常比宽图形间距区域的抛光速度快。在一些情况下，当金属线紧密地挤在一起时，在CMP过程中对金属结构可能产生不必要的侵蚀。产生侵蚀的一个原因是当抛光一层覆盖的金属层时，对下面的SiO2产生轻微的过抛光。在高图形密度区域，对SiO2的侵蚀要大一些。 在高线条密度区域的CMP侵蚀 钨互连 (软材料，高抛磨速率) 侵蚀 氧化硅 (硬材料，低抛磨速率) 侵蚀带来的不完全通孔刻蚀问题 SiO2 在前面层间介质层侵蚀引起SiO2厚度变化，由于SiO2不均匀的厚度，通孔刻蚀不完全 铝 钨通孔 LI钨 钨通孔 未平坦化的 SiO2 平坦化的 SiO2 平坦化的 SiO2 侵蚀最初发生的地方 另一个不希望的CMP效果是凹陷，凹陷是指图形中央位置材料厚度的减小。它被定义为金属线条中心和SiO2层最高点的高度差。凹陷的多少与被抛光的线条宽度有关，线条越宽，凹陷就可能越多。抛光垫的硬度也对凹陷有影响。 大图形中的CMP凹陷现象 氮化硅抛磨终止 凹陷 氧化硅 (硬表面，低抛磨速率) 铜去除 铜 (软表面，高抛磨速率) 四、工艺参数及设备 为了更好控制抛光过程，需要详细了解每一个CMP参数所起的作用以及它们之间微妙的交互作用。然而影响化学作用和机械作用的因素很多。因此在进行化学机械抛光时要综合考虑上述各种因素，进行合理优化，才能得到满意的结果。 (1) 抛光压力P 抛光压力对抛光速率和抛光表面质量影响很大，通常抛光压力增加，机械作用增强，抛光速率也增加，但使用过高的抛光压力会导致抛光速率不均匀、抛光垫磨损量增加、抛光区域温度升高且不易控制、使出现划痕的机率增加等，从而降低了抛光质量。 (2) 相对速度V 在一定条件下，相对速度增加，会引起抛光速率增加。如果相对速度过高会使抛光液在抛光垫上分布不均匀、化学反应速率降低、机械作用增强， 从而硅片表面损伤增大，质量下降。但速度较低，则机械作用小，也会降低抛光速率。 (3) 抛光区域温度 一般情况下工作区温度升高，加强了抛光液化学反应能力，使抛光速率增加，但由于温度与抛光速率成指数关系，过高的温度会引起抛光液的挥发及快速的化学反应，表面腐蚀严重，因而会产生不均匀的抛光效果，使抛光质量下降。但工作区温度低，则化学反应速率低、抛光速率低、机械损伤严重；因此抛光区应有最佳温度值。通常抛光区温度控制在38～50℃ (粗抛)和20～30℃ (精抛)。 (4) 抛光液粘度、pH 值 抛光液粘度影响抛光液的流动性和传热性。抛光液的粘度增加，则流动性减小，传热性降低，抛光液分布不均匀，易造成材料去除率不均匀，降低表面质量。但在流体动力学模型中抛光液的粘度增加，则液体薄膜最小厚度增加、液体膜在硅片表面产生的应力增加，减少磨粒在硅片表面的划痕，从而使材料去除增加。