2016第章存储器扩展技术.pptVIP

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2016-12-19 发布于北京
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2016第章存储器扩展技术.ppt

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2. 8031/80C31最小应用系统结论： 2764、27256和27512芯片引脚如图5.6所示：程序存储器扩展例题例2、多片程序存储器的扩展 4）常用EEPROM（电擦除可编程只读存储器）扩展表5-3 Intel公司EEPROM典型产品主要性能以Intel2864A为例介绍EEPROM的扩展： 1) 维持（待机）方式当CE为高电平时，2864A进入功耗自动待机状态，此时，数据输出线呈高阻态。 2) 读出方式当CE和OE均为低电平，而WE为高电平时，片内数据缓冲器开门，数据被送到数据总线，可执行读操作。 3) 写入方式 2864A写入方式有两种：字节写入和页写入。 4) 数据查询方式是由软件来检测一个写周期是否完成。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 8031单片机扩展2864A 的电路图如图5.10所示： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 1. 数据存储器概述 51系列单片机内部仅有128B的RAM，对于简单的应用场合，已够用；但是对于复杂场合，需要处理大量数据，这时必须外扩RAM，最大可外扩64KB。扩展中广泛应用静态RAM（SRAM）。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2. 单片机对片外RAM读/写指令访问外部RAM时，使用MOVX指令。外部RAM通常设置两个数据区： 1）低8位地址线寻址的外部数据区此区域寻址空间为256B，CPU可以使用下列读写指令来访问此存储区： ① 读存储器数据指令：MOVX A，@Ri ② 写存储器数据指令：MOVX @R，A 由于8位寻址指令占用字节少，程序运行速度快，所以经常采用。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2）16位地址寻址的外部数据区当外部RAM容量较大，要访问RAM地址空间大于256B时，需要采用16位寻址指令。 ① 读存储器数据指令：MOVX A，@DPTR ② 写存储器数据指令：MOVX @DPTR，A 由于DPTR位16位的地址指针，故可寻址64KBRAM单元。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3. 外扩数据存储器常用的典型芯片 1）数据存储器SRAM芯片目前常用的静态RAM芯片有Itel公司的6116、6264、62128、62256，其主要性能指标如下： 200 200 200 典型存取时间/ns 0.5 2 5 典型维持电流/ mA 8 40 35 典型工作电流/mA 5 5 5 工作电压/V 28 28 24 引脚数 32 8 2 容量/KB 62256 6264 6116 芯片型号 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 芯片引脚如下： Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 以6264芯片为例说明芯片的引脚以及扩展电路的连接引脚功能： A12～A0：13根地址线，芯片的容量为8K＝213个单元； D7~D0：8根三态双向数据线；：片选信号输入线，低电平有效；：写选