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EMMC在智能电视机中的应用 　　[摘 要]随着智能电视的普及，智能电视搭载了Android 操作系统，用户在欣赏普通电视内容的同时，可自行安装和卸载各类应用软件，这使得对存储空间的需求越来越大，系统需要存储密度高，写入和擦除速度更快的存储器。本文针对目前的智能电视普遍使用了EMMC存储器，讲解了EMMC的内部构成、数据存储原理以及测试方法等。 　　[关键词]EMMC SLC MLC 　　中图分类号：TN949.2 文献标识码：A 文章编号：1009-914X（2016）18-0108-01 　　一、EMMC的数据存储原理 　　我们知道三极管具备导通和不导通两种状态，这两种状态可以用来表示数据0和数据1，因此利用三极管作为存储单元的三极管阵列就可作为存储设备。EMMC是采用特殊的浮栅场效应管作为存储单元。 　　EMMC存储器栅极加电的过程等同于HDD硬盘的数据写入操作，它被称为“Program（编程）”，放电的过程电位恢复，这相当于HDD硬盘的擦除数据，这里称为 “Erase（擦除）”，完整的一次Program / Erase循环就是EMMC的写入循环，从这里也可以看出EMMC要想写入数据就需要恢复默认电位，也就是以“擦除”为前提，这个特性决定了EMMC的数据写入方式。 　　施加电压会导致浮栅极电位变化，那么施加不同的电压就会有更多的电位变化，NAND闪存单元就可以容纳不同的信号组合，这也就是SLC、MLC以及TLC的区别。 　　SLC（single-level-cell）是最简单的一种，加电就是1，放电就是0。 　　MLC （multi-level-cell）就是每个cell单元中有多个信号，通过控制不同的电压来实现的，常见的是2个电信号的，它的信号组合有11，01，00，10四种，也就是可储存的容量提升了。 　　TLC（Triple-level-cell）每个Cell单元中可容纳的3个信号位，有000，001，010，011，111，110，100，101这8种，容量会更大。 　　二、常用的SLC与MLC性能对比 　　1. MLC的读写性能下降 　　MLC需要更精确的电压控制，program过程所需时间更多，因此写入性能也会大幅下降，理论上只有SLC的1/4；读取数据，特别是随机读取性能也会受影响，因为需要花更多的时间从四种电信号状态中区分所需数据，读取性能只有SLC的1/3。 　　2. MLC可靠性下降 　　闪存一次P/E循环只需要击穿一次氧化层，而MLC需要不同的电压多次击穿氧化层，物理损害比SLC要严重得多，与SLC相比，MLC的写入次数会指数级的下降，比如SLC的理论寿命是1万-10万次，而MLC的写入寿命上限就只有1万次，而且随着制程工艺的进步，这个数值还在下降，25nm MLC普遍只有3000-5000次。 　　3. MLC需要更高的纠错 　　由于电压分的更细，MLC在读取数据的过程中需要提高敏感度，不然就容易出现读错数据的可能，也就是说MLC出错的几率增大了，纠错要求也必须随之提高，反应在EMMC上就是需要更强的ECC纠错机制。 　　4. MLC的漏电流、电压边界位移（voltage margin shifting）现象也增加了，MLC的功耗和发热也更高了，这些都是MLC带来的问题。 　　5. MLC的存储密度高，很好的解决了SLC的成本高和设计空间问题。 　　EMMC的寿命及改进方案： 　　因为EMMC写入和擦除数据时的高电压会导致介质（衬底的二氧化硅）的氧化降解，所以P/E循环次数是有限的，不像HDD的GMR（巨磁阻尼）效应那样是永久的，存在次数限制。目前主流25nm工艺下，MLC的P/E循环次数在3000-5000次之间，而最强的是SLC，标称有10万次写入寿命。 　　EMMC有限的写入循环次数决定了用的越频繁，NAND死得越早，如果不加以控制，那么容易就出现这样的情况：主控频繁向某部分bloc写数据-擦除数据-再写入数据，而NADN其他部分写数据的机会比较少，不平衡的使用方式对EMMC寿命也是一种伤害。 　　耗损均衡：耗损均衡（wear leveling）技术就是为了保证NAND所有区块的写入-擦除几率是均等的，就是“有难同当”，有活大家一起干，依照不同的状态，可以分为三种，无耗损均衡（no-wear leveling）、动态耗损均衡（Dynamic Wear Leveling）以及静态耗损均衡（Static Wear Leveling）三种 。耗损均衡是一种优化算法，它主要依赖于EMMC主控。 　　垃圾回收（garbage collection，简称GC）是EMMC恢复性能的另一大功能，这个主要跟厂商所用的主控有关，其意义就跟字面意思一样，通过