Ch5,CMR效应和强关联电子本章内容(三学时)讲述.ppt

结束 Ch5 CMR和电子关联（2－1） 2学时  引言 问题的意义 第一部分 较早的工作 第二部分 近年的进展（讲4个问题） 第一，关联导致电荷、自旋和轨道有序 第二，新的凝聚状态：相共存、相分离 第三，2维“关联”电子（MIS） 第四，p－n结（本所较多工作） 第二部分 近年进展第一个问题：关联和有序（电荷、自旋、轨道）（1） 前面， 已经讨论过了电荷有序－－Wigner电子晶体 为甚麽同时有序？ 右图示意： 波函数重叠方式 →交换作用 → 自旋“序”就不同 *电荷、自旋、轨道有序（2） 的反铁磁？ Mn3＋离子自旋排列为反铁磁（AFM）。 原因：同一格座上 eg与t2g的洪德铁磁（FM）耦合。 相邻格座超交换AFM作用 实际的轨道波函数的情况稍微复杂， Jahn－Teller 效应（电声子作用） 结果：自旋序和轨道序关联（看下图） *电荷、自旋、轨道有序（3） 原子3d－波函数之间的 距离、相对取向 决定 交换作用的大小、符号。 从而决定 自旋取向。 自旋用箭头表示 轨道为eg电子波函数 参看前面的简易图 （其中含有氧原子） *电荷、自旋、轨道有序（4）掺杂情况 （各种x＝？） 右图中， 圆圈 Mn4＋ 波瓣 Mn3＋ 电荷、自旋、轨道有序（5） （计算另讲） Mn3+和Mn4＋ 1，电荷棋盘 2，自旋zigzag 3，轨道转向， 电荷、自旋、轨道有序 电荷、自旋、轨道有序（6） 小结：形成电荷、自旋和轨道有序的原因？ 1，电荷有序： 势能大于动能 U 》t ， 例如，一个格点只能有一个 eg 电子。 2，轨道有序： 畸变能大于动能 g 》t。 例如，eg、 t2g 电子的轨道要对于 J－T 晶格畸变方向取向。 3，自旋有序 （接下一页） 电荷、自旋、轨道有序（7） 3，自旋有序： 离子内，Hund 耦合大于动能 JH 》t ， 例如，离子内部eg 自旋要平行於t2g自旋。 相邻离子间，超交换作用。 本质上都是库仑作用 Pauli 原理保证轨道有序与自旋有序的协调 总之，库仑作用的强关联效应。 第二个问题：相分离 本讲开始部分提出的问题是： (一块)材料是金属还是绝缘体？（能带论） 本讲结束部分指出，还可以提出下列问题： (一块)材料可以是金属和绝缘体多相共存？（强关联） 为什么？ 1，这里是多种相互作用竞争的“临界点”。 2，“显微镜”的分辨率大大提高。看到了真实。 3，真正的量子图像是超越“平均场”近似的。 即，电子的关联效应。 相分离现象（1） 各种有序相的互动？ La0.7Ca0.3MnO3/STO薄膜 在稍低于Tc时的扫描隧道谱: 共存的绝缘相与金属相团簇随磁场增加而此消彼长 Science ,285(1999)1540 相分离现象（2） 各种有序相的 分离？共存？ 高分辨的原子像 I－V 特性图 电子绝缘相（左） 半导体相（右） 第三个问题：二维电子系统 电场效应和低维CMR性质 以前，改变掺杂（浓度）和薄膜厚度（维度），导致相变 如果，引进电场到多层膜结构， 也可以导致维度、浓度改变，从而导致相变。 优点: 电场导致的相变，并不增加晶体的缺陷。 一个例子低维高温超导体临界点 8纳米厚度的YBaCuO在MIS结构中： 门电压的改变 →载流子浓度改变， →从而临界温度改变。 回忆：半导体二维电子系统MIS―――电场改变载流子浓度和维度 回忆：半导体界面,电场（门电压）改变载流子浓度、维度和类型 15，氧化物的场效应晶体管（FET） ABO3的MIS电场（门电压）改变载流子浓度、维度和类型rf . Nature 424,1015-1018(2003) C.H.Ahn et al Mn基MIS  La1－xBaxMnO3 （as LBMO) PbZr0.2Ti0.8O3 (as PZT) SrTiO3(001) (as STO) 脉冲激光镀膜 (PLD) 极化PZT作绝缘体 （为了提高界面电场） 电阻－温度关系，强关联特征 电场控制相变的证据 LBMO为空穴型半导体 门电压为正，产生耗尽层 （de