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第3章 汇编语言程序设计 第四章 半导体存储器 4.1 概述 4.1.1 存储器的分类 4.1.2 半导体存储器的分类 4.1.3 半导体存储器的主要指标 4.2 随机读写存储器（RAM） 4.2.1 静态RAM 4.2.2 动态RAM *4.2.3 双口RAM 第四章 半导体存储器 4.3 只读存储器（ROM） 4.3.1 掩膜ROM 4.3.2 可擦可编程只读存储器（EPROM） *4.3.3 电可擦可编程ROM（EEPROM） *4.3.4 新一代可编程只读存储器FLASH 4.4 CPU与存储器的连接 4.4.1 连接时应注意的问题 4.4.2 典型CPU与存储器的连接 4.4.3 IBM PC/XT中的存储器 第四章 半导体存储器 *4.5 微型计算机的扩展存储器及管理 4.5.1 存储器体系的分级结构 4.5.2 高速缓冲存储器 4.5.3 微型计算机的内存配置 4.5.4 存储器管理 存储器的分类 存储器是用来存储微型计算机工作时使用的信息（程序和数据）的部件，正是因为有了存储器，计算机才有信息记忆功能。越靠近CPU的存储器速度越快而容量越小。 4.1 概述 CPU Cache 主存储器 辅助存储器 大容量存储器 外存储器 内存储器 半导体存储器的分类 4.1 概述 双极型 读写存储器 RAM 半导体 存储器 只读存储器 ROM MOS 静态SRAM 掩膜 可编程序ROM PROM 光擦除PROM EPROM 电擦除PROM E2PROM 动态DRAM 闪存 FLASH ROM 半导体存储器的主要指标 容量：每个存储器芯片所能存储的二进制数的位数。 存储器容量＝单元数×数据线位数（1、4或8位） 例：Intel 2114芯片的容量为1K×4位，Intel 6264芯片为8K×8位。 注：微机（8/16/32/64位字长），内存以字节为一个单元，不同微机可以同时对1/2/4/8个字节进行访问。 存取速度：从CPU给出有效的存储器地址到存储器给出有效数据需要的时间。 4.1 概述 静态RAM的结构 一个基本存储电路能存储一位二进制数，而一个八位的二进制数则需八个基本存储电路（存储体），称为一个存储单元。每个单元规定一个地址号。每个单元的基本存储电路的个数与数据线的位数相同。 例：6116芯片的容量为2K×8位，有211个存储单元，有214个存储体，形成128×128个存储阵列。需要11根地址线，7根用于行地址译码，4根用于列地址译码，可以选择2048个存储单元中的任意一个。每个存储单元有8位，是通过数据线写入的。 4.2 随机读写存储器（RAM） 静态RAM的举例－Intel 6116 读出逻辑：CS=0.OE=0,WE=1 写入逻辑： CS=0.OE=1,WE=0 高阻：CS＝1 4.2 随机读写存储器（RAM） 动态RAM的举例－Intel 2164 容量为64K×1位，片内有65536个存储单元，每个存储单元只有1位数据 用8片2164才能构成64KB存储器 在片内寻址必须用16条地址线。实际只用8条地址线，分时复用。 先将8位地址送至行地址锁存器，而随后出现的8位地址送至列地址锁存器，这8条地址线用于刷新数据，刷新时一次选中一行。 动态RAM的举例－Intel 2164 4.2 随机读写存储器（RAM） 读出逻辑： WE=1，Dout读出 写入逻辑： WE=0，Din写入 片选信号：RAS，CAS 只读存储器ROM 在使用时不能被改变，只能用于存放固定程序 非易失性，掉点后存储的信息不会改变 EPROM芯片：2716（2K×8）， 2732（4K×8）， 2764（8K×8）， 27128（16K×8）， 27256（32K×8）， EPROM举例－ Intel 2764A 读方式 备用方式 编程方式 编程禁止 编程校验 Intel标识符模式 4.3 只读存储器（ROM） 连接时需注意的问题 CPU总线的带负载能力 CPU时序与存储器存取速度之间的配合 存储器组织、地址分配 当一片存储器芯片的容量不够时，经常将几片存储器芯片组合起来使用，每片的地址一般不同 寻址存储器芯片内部存储单元需要的地址线称为片内地址线，一般和地址总线的低位相连 剩余的地址总线经过译码器或其它逻辑电路和每片芯片的使能端相连，用来选择不同的芯片，称为片选线 片内地址线的数目决定于芯片的型号；而片选线的连接由于译码的方法不同而不同，各种连接方法决定了每片芯片的地址范围的也不同 地址译码器74LS138（自己复习）