L10-化合物半导体材料.ppt

§10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体 3、ZnO有较高的激子复合能为60meV，理论上有可能实现室温下较强的紫外受激发射，制备出性能较好的探测器、LED和LD等光电子器件。 4、ZnO有很好的成膜特性，能在较低的温度（200℃-650℃）下制备出有较好晶体质量的ZnO薄膜。 5、ZnO薄膜的原料丰富、成本低、无毒、对环境无污染，是环保型材料。 §10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体 1) 未掺杂ZnO的导电机制—n型导电 未掺杂氧化锌薄膜中存在的缺陷主要是点缺陷，即氧缺位或金属锌原子过剩，这些缺陷是ZnO薄膜中载流子的主要来源。 氧缺位使薄膜晶体结构中锌与氧的化学计量比大于1:1。此时薄膜中就会存在过剩的正电荷，为了保持电中性，就会在氧缺位周围聚集同样多的电子，由于电子与缺陷之间的束缚力非常弱，在常温下就能获得足够高的能量脱离其束缚而成为自由电子，所以此类薄膜为n型半导体薄膜，其电阻率高于106??cm。 (3) ZnO掺杂 §10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体 2) n型掺杂的ZnO 为了提高氧化锌薄膜中的载流子浓度，可以采取适当掺杂的方法来实现。作为第Ⅱ-Ⅵ族化合物的氧化锌，可以掺入Ⅲ族元素B、Al、In、Ga或者由氧缺位来改善其导电性。 在这些掺杂中，研究得最多的n型掺杂剂是Al、Ga和In。采用Al掺杂制得的ZnO:Al薄膜电阻率可达到10-4??cm，而掺Ga，In制得的薄膜的电阻率一般为10-3??cm。 §10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体 掺入Al时，由于铝的离子半径(RAl=0.060nm)比锌的离子半径(RZnO =0.096nm)小，Al原子容易成为替位原子而占据Zn原子的位置。每个Al3+离子对Zn2+离子的替换提供一个导电电子。 在ZnO中掺杂Al之后可以形成 ZAO(ZnO:Al)薄膜，导电性能大幅度提高，电阻率可降低到10-4 ??cm ，可见光透射率达90%。这种性能完全可以与ITO薄膜相媲美。 §10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体 3) P型掺杂的ZnO ZnO的p型掺杂是目前面临的难题。一些位于填隙位置上的本征点缺陷或者杂质原子会有补偿作用，即掺杂时极易产生与杂质类型相反的缺陷。这些缺陷通过形成深能级陷阱来抵消替位原子形成的浅受主能级。晶格弛豫也会使得杂质能级在禁带中位于很深的位置，一些特定的p型掺杂元素溶解度较低，限制了非本征载流子浓度的提高，这些原因都造成了p型掺杂以及p-n结制备的困难。 §10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体 ZnO薄膜的发光特性引起人们的关注。由于室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV，理论上具备蓝光或紫外光发射的本领。 最近几年人们开始致力于利用ZnO薄膜研制短波长发光二极管和激光器。随着平板显示器件的兴起，研究人员也试图将ZnO研制成一种低压高效的绿色荧光薄膜材料。但是实验结果表明，ZnO薄膜可实现多种谱带的光发射，其能带结构较为复杂。 (4) ZnO材料的光致发光 §10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体 ZnO薄膜典型的光致发光有两个发光带：一个是窄的紫外光带，另一个是宽的绿-黄光带。窄的紫外峰在380nm(3.3eV)附近，宽的深能级发射在大约490(2.52eV)～550nm(2.25eV)左右。 §10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体 研究人员均认为375nm附近的紫外峰其来源于近带边的激子跃迁，其发光强度与薄膜的结晶质量、化学配比有关。结晶质量好的薄膜发射紫外光的强度高。 对于ZnO薄膜在可见光区的发光机理至今还没有统一的说法，有的认为可见光来源于与结构缺陷和杂质相关的深能级发射，其中所有的结构缺陷都是来自薄膜生长过程中氧供给量不足，即锌和氧的化学计量比失衡。 §10 化合物半导体材料 10.2 II-VI族化合物半导体 (4) ZnO薄膜的制备 所有能制备半导体材料的方法都能制备ZnO薄膜，主要有：化学气相沉积法、磁控溅射法、溶胶-凝胶法、电化学沉积法、分子束外延法、激光脉冲沉积法等。 其中溶胶-凝胶法、电化学沉积法无需真空设备，可大幅降低了制作成