第12章封装过程中的缺陷分析(免费阅读).pptVIP

第12章 封装过程中的缺陷分析 由于封装技术水平的不断提高以及封装元件轻薄短小的发展趋势，本来已存在于封装制作中的缺陷问题，显得更为突出重要了。为了提高产品的可靠性，了解封装缺陷问题的原因并加以改善，延长产品的使用寿命，避免封装缺陷的产生并提高封装产品质量，本章对封装过程中的缺陷进行分析和阐述。 12.1 金线偏移 金线偏移是封装过程中最常发生的问题之一，集成电路元件常常因为金线偏移量过大造成相邻的金线相互接触从而形成短路（Short Shot），甚至将金线冲断形成断路，造成元件的缺陷如图12.1所示。金线偏移的原因一般有以下几种： ⒈ 树脂流动而产生的拖曳力（Viscous Drag Force）。这是引起金线偏移最主要也是最常见的原因。在填充阶段，融胶粘性（Viscosity）过大、流速过快，金线偏移量也会随之增大。 ⒉ 导线架变形。引起导线架变形的原因是上下模穴内树脂流动波前不平衡，即所谓的“赛马”现象，如此导线会因为上下模穴模流的压力差而承受弯矩（Bending Moment）造成变形。由于金线是在导线架的芯片焊垫与内引脚上的，因此导线架的变形也能够引起金线偏移。 ⒊ 气泡的移动。在填充阶段可能会有空气进入模穴内形成气泡，气泡碰撞金线也会造成一定程度的金线偏移。 ⒋ 过保压/迟滞保压（Overpacking/