第4章电力电子技术(免费阅读).ppt

1、什么是电力电子技术 将电子技术和控制技术引入传统的电力技术领域，利用半导体电力开关器件组成各种电力变换电路实现电能的变换和控制，构成了一门完整的学科，被国际电工委员会命名为电力电子学（Power Electronics）或称为电力电子技术。 2、与其他学科之间的关系 与电子学的关系 都分为器件与应用 与电力学的关系 电力电子学和电力学关系 电力电子技术广泛用于电气工程 与控制理论的关系 3、学科的组成 4、研究任务 (1)电力电子器件的工作原理与应用 (2)电力电子电路的电能变换原理 (3)控制技术以及电力电子装置的开发与应用。 （2）交通运输 部分国内外知名公司的变频器 6 、 地位和未来 (1)电力电子器件的发展 半导体整流管（SR） 晶闸管（SCR）及其派生器件 功率晶体管（GTR） 功率场效应管（MOSFET） 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） 功率集成电路（PIC）和智能功率模块（IPM） 电力电子技术的依赖于电力电子器件的发展 理想开关 电力二极管 电力二极管实物图 晶闸管 常用晶闸管的结构 晶闸管是大功率器件, 工作时产生大量的热，因此必须安装散热器。 螺旋式晶闸管紧栓在铝制散热器上, 采用自然散热冷却方式, 如图1.3.2(a)所示。 平板式晶闸管由两个彼此绝缘的散热器紧夹在中间, 散热方式可以采用风冷或水冷, 以获得较好的散热效果,如图1.3.2 (b)、(c)所示。 晶闸管的派生器件 快速晶闸管 双向晶闸管 逆导晶闸管 光控晶闸管（光触发晶闸管） 常用的典型全控型器件 早期的电力场效应管采用水平结构(PMOS)，器件的源极S、栅极G和漏极D均被置于硅片的一侧(与小功率MOS管相似)。存在通态电阻大、频率特性差和硅片利用率低等缺点。 20世纪70的代中期将LSIC垂直导电结构应用到电力场效应管的制作中，出现了VMOS结构。大幅度提高了器件的电压阻断能力、载流能力和开关速度。 20世纪80年代以来，采用二次扩散形成的P形区和N+型区在硅片表面的结深之差来形成极短沟道长度(1～2μm)，研制成了垂直导电的双扩散场控晶体管，简称为VDMOS。 目前生产的VDMOS中绝大多数是N沟道增强型，这是由于P沟道器件在相同硅片面积下，其通态电阻是N型器件的2～3倍。因此今后若无特别说明，均指N沟道增强型器件。 计算法和调治法 异步调制和同步调制 规则采样法 PWM逆变电路的谐波分析 提高直流电压利用率和减少开关次数 PWM逆变电路多重化 电力电子装置 开关电源 有源功率因数校正 不间断电源（UPS） 静止无功补偿装置 变频调速装置 一、开关电源 开关电源优点： 开关电源的应用 常规快速 晶闸管 高频 晶闸管 与普通晶闸管相比 快速 晶闸管关断时间为数十微秒 高频 晶闸管关断时间为10μs左右 电压和电流定额不易做高 应用于400Hz和10kHz以上的斩波或逆变电路中 开关时间以及du/dt、di/dt的耐量都有了明显的改善 器件 是一对反并联结的普通晶闸管的集成。 有两个主电极T1和T2，一个门极G。 门极使器件在主电极的正反两方向均可触发导通。 不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。 器件 是将晶闸管反并连一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。 不具有承受反向电压的能力，一旦承受反向电压即开通。 与普通晶闸管相比 正向压降小 关断时间短 高温特性好 额定电流 晶闸管电流 反并联的二极管的电流 器件 是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。 小功率光控晶闸管只有阳 极和阴极两个端子。 大功率光控晶闸管带有作为触发光源的发光二极管或半导体激光器的光缆。 光触发保证主电路与控制电路之间的绝缘，避免电磁干扰的影响。 器件 电力MOSFET IGBT单管及模块 器件 平板式 器件 螺旋式 器件 功能模块 器件 散热器 器件 门极可关断晶闸管GTO 电力晶体管GTRC 电力场效应晶体管MOS 绝缘栅双极晶体管IGBT MOS控制晶闸管MCT 静电感应晶体管SIT 静电感应晶闸管SITH 集成门极换流晶闸管IGCT 器件 返回 结构发展知识背景 器件 单相半波整流电路 单相桥式整流电路 器件 AC/DC 三相半波整流电路 b) c) d) e) f) u 2 u a u b u c a =0 O w t 1 w t 2 w