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摘 要
关键词： 激子 光致发光谱 变温特性
Abstract
The wide band gap semiconductor-GaN, of which physics and chemical property are outstanding for application in optical devices of short wave, has much application potential and a good market future.
In this paper, three GaN film samples in similar processing conditions are measured in photoluminescence system, and we get the PL spectrums which are in several different temperatures between 10K and 300K. The band-edge optical property of GaN in low temperature is researched，and we get to know the optical mechanism of GaN in low temperature. In addition, the temperature dependency of different kinds excitons is discussed.
Experimental data indicates that the band-edge optical property of GaN is determined by free excitons, neutral-donor-bound excitons and neutral-acceptor-bound excitons. In the PL spectrum, we can find all of the three kind of the transition peaks, which states that the quality of samples is good, however, the intensity of free excitons is weak, which means the quality of the samples could be better. When the temperature is above 150K, the band-to-band luminescence dominates.
Keywords: GaN Exciton Photoluminescence spectrum Temperature dependency
目 录
第一章 绪 论 1
1.1 引言 1
1.2 GaN材料研究概述 1
1.3 GaN材料在发光领域的应用及前景 2
1.4 光致发光理论 4
1.4.1 基本概念 4
1.4.2 光致发光原理 4
1.5 本文的研究内容及实验路线 5
1.5.1 本文的研究内容 5
1.5.2 本文的实验路线 5
第二章 GaN材料性质 7
2.1 GaN材料部分特性 7
2.1.1 GaN的结构特性 7
2.1.2 GaN材料的化学特性 7
2.1.3 GaN材料的电学特性 7
2.1.4 GaN的磁学性质 7
2.2 GaN材料发光特性 8
2.2.1 GaN中基本的辐射跃迁过程 8
2.2.2 自由激子和束缚激子 10
2.3 GaN薄膜的外延生长技术 11
2.3.1 MOCVD 11
2.3.2 MBE 12
2.3.3 HVPE 12
2.3.4 反应溅射工艺 12
第三章 GaN薄膜制备和光致发光测量 13
3.1 GaN薄膜样品的制备 13
3.2 GaN薄膜样品的光致发光测量 13
3.3 本次试验得到的PL谱 14
第四章 GaN薄膜的带边光致发光谱分析 17
4.1 GaN材料发光机制 17
4.2 峰位随温度变化的讨论 19
4.3 发光强度随温度变化讨论 21
第五章 结 论 25
致 谢 27
参考文献 29
第一章 绪 论
1.1 引言
III族氮化物材料属于近年来研究最热的半导体材料之一，(AlN、GaN、InN的禁带宽度分别为6.28eV、3.39eV、0.7eV)[1]，而且其三元合金体系也为直接带隙，Eg可近线性地从0.7eV变到6.28eV，覆盖了整个可见光到紫外光波段。目前没有任何一个其它材料体系能像GaN基半
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