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实验二 存储器实验 实验目的、器材和内容 一、实验目的 ① 掌握半导体静态RAM 6116特性和使用方法。 ② 掌握6116存储器的读写方法和片选技术。 二、实验器材 FD-CES-B实验仪一台，FD-CES-B存储器实验板一块，示波器一台。 三、实验内容 ① 用两片6116构成一个4K╳8位的RAM。 ② 对RAM进行单步读写测试（每次向RAM的某一个特定单元中写入一个数据或每次从RAM的某一个特定单元中读出一个数据） ③ 对RAM进行连续读写测试（从0～4095对每一个单元进行读写测试） ④ 测量RAM的读写时间。 四、实验原理 6116为2K ×8bit的静态RAM，它为24线的双列直排式器件，其中有A0~A10为11根地址线，D0~D7为8根数据线，3个控制信号为片选、读写信号、数据选通信号，其工作方式选择见下表1。 存储器实验模块的电路图 见单独的幻灯片 五、验证 六、对RAM进行单步读写测试 先向RAM的某一个特定单元中写入一个数据，再从该特定单元中读出这个数据，将两者比较。 ① 将拨动开关KW1设置为置数状态（SEND），将拨动开关KW2设置为单步状态（STEP）。 ② 将K14、K15设置为1 1，使RAM处于既不读也不写状态。 ③ 利用K16～K23设置数据（8位），寄存在74LS244。数据可以通过实验装置上的灯L16～L23发亮（该位为1）或熄灭（该位为0）看到。 ④ 将K12、K13设置1 0，使计数器74163处于单步置数状态。 ⑤ 利用K0～K11设置地址线A0～A11，按单脉冲开关S1将地址送RAM。 ⑥ 将K14、K15设置为1 0，发出写控制信号，完成写操作。 ⑦ 将K14、K15设置为0 1，发出读控制信号，完成读操作。 七、对RAM进行连续读写测试（从0～4095对每一个单元进行读写测试） ① 将拨动开关KW1设置为置数状态（SEND），将拨动开关KW2设置为连续状态（EXEC）。 ② 将K14、K15设置为1 1，使RAM处于既不读也不写状态。 ③ 利用K16～K23设置数据（8位），寄存在74LS244。数据可以通过实验装置上的灯L16～L23发亮（该位为1）或熄灭（该位为0）看到。 ④ 将K12、K13设置1 1，使计数器74163处于计数状态。 ⑤ 将K14、K15设置为1 0，发出写控制信号，完成写操作。 ⑥ 将K14、K15设置为0 1，发出读控制信号，完成读操作。 八、测量RAM的读写时间 ① 将拨动开关KW1设置为读写时间状态（WRT），将拨动开关KW2设置为连续状态（EXEC）。 ② 置K15为0，K14、K13、K12为1，向6116偶数地址写入全0，奇数地址写入全1。 ③ 置K15为1，K14为0，从6116中读数据。 ④ 用示波器测J33（地址线）和J34（数据线）的波形，体会读出时间。 RAM的读写时间波形 * * *