模电4放大电路的频率响应.ppt

片头4 4.1 频率响应的基本概念和波特图 4.1.2 RC低通电路的频率响应 4. 频率特性的波特(Bode)图画法 4.1.3 RC高通电路的频率响应 4. 频率特性的波特(Bode)图画法 5.一阶高/低通频率特性波特图画法 总结 ☆ 4.2 基本放大电路的高频响应 4.2.2 BJT的高频物理模型——混合参数π形等效电路 1．从结构引出物理模型 3．混合参数与H参数的关系 4.2.3 BJT共射电流放大系数β的频率响应 4.2.4 基本放大电路的高频响应 4.3 基本放大电路的完整的频率响应 4.3.2 完整的单管共射放大电路的频率特性 例4–1 (4) 计算上限截止频率?H (6) 画波特图 4.3 放大电路频率响应的改善和增益带宽积 3．放大电路的增益带宽积 4.4 多级放大电路的频率响应 例4–2 P227 4.4.2 多级放大电路下限截止频率?L估算 作业 ps PS 转到电路分析 ps PS 转到电路分析 ps * 第4章 放大电路的频率响应 江苏大学电气信息学院 主讲：杨建宁 4.1.1 频率响应的基本概念 1. 频率响应和通频带 频率响应定义 幅频特性 Au (f)＝Uo/Ui（实数） 相频特性 中频段的电压增益AuM 截止频率： 当Au在下降到0.707AuM（1/AuM） ?L 下限截止频率 ?H 上限截止频率。 ?BW 通频带 ?BW＝?H–?L ≈?H 放大电路通频带必须包括信号频带。 通频带（0，?H） 1. RC低通电路 2. 电压传输系数的幅频特性和相频特性 = –arctg (f/ fH) 3. 通频带和上限截止频率 P/110 取点 横坐标的取法：对数刻度。十倍频程在横坐标上所占的长度相等 (2) 幅频特性纵坐标的取法：对数刻度20 lg Au，单位是分贝 (3) 相频特性纵坐标的取法 度(°)表示 20 lg Au=–10 lg [1+(?/?H)2] ? 201gAu ＜ ＜ ?H ≈–10 lg1=0dB ≈0° 0.1?H =0 dB –5.71° ?H ≈–3dB – 45° 10?H ≈–20dB –84.29° 100?H ≈–40dB –90° 通频带（?L ，∞ ） 1. RC高通电路 2. 电压传输系数的幅频特性和相频特性 = 90–arctg (f/ fL) 3. 通频带和下限截止频率 P/110 20 lgAu=20 lg (?/?L)—10 lg[1+(?/?L)2] = 90°— arctg (?/?L) P/1 幅频特性（2折线） ① 转折频率 ?P =1/2π R C ② 通带增益分贝=0 ③ ± 20 dB/ DEC （+高通；–低通；） 相频特性（3折线） ① 定转折频率 0.1?P ?P 10?P ② 0.1?H → 90 ° ?H → 45° 10?H → 0° 0.1?L → 0 °； ? L ； → – 45° 10? L → – 90° ③ ± 45°dB/DEC （ –高通；+低通；） 高阶，放大电路基础 6.最大误差估计 幅频特性在转折频率 处： – 3 dB 相频特性： 0.1?P 和 10?P △ 5.71° ☆ 4.2.1 放大电路频率响应研究方法 分低、中、高频段（各自交流等效电路找出各个独立的RC低通或高通电路） 耦合电容、旁路电容影响低频率特性 晶体管的结电容、电路的分布电容影响高频率特性 求出相应的RC时间常数和截止频率，画出该频段的频率特性。 “时间常数法” 如果在同一个RC电路中起作用的电容不止一个 (例如在低频段，Cl、CE 忽略其他电容的作用。求出τ进行比较， 对低频段找最小的时间常数τ(对应?L)； 对高频段找最大的时间常数τ(对应最小的?H)。 相差4～5倍以上，就只考虑主要的τ，如果τ很接近，则4.4节办法。 P/121 单向化π效电路的简化 高频共射混合参数π形电路 BJT的共射混合参数H形电路（低频） 结论 r bb’ = r be– r b’e已知 C’ π=Cπ+(1+K)Cμ K=gm R’L Cπ=gm/（2π?T） P/110 re是发射区的体电阻，其值很小可以略去。 rc是集电区的体电阻， 与相串联的反偏的集电结电阻rb’e可略去 rb’e一般是兆欧(MΩ) ，可近似开路。 rb’b是基区的体电阻， 其值在几欧～几百欧范围内， rb’e是发射结动态电阻， rb’e(Ω)=26(mV)/I