第5章存储器技术2要点.pptVIP

人一能之，已百之； 人十能之，已千之； 第5章 存储器技术 5.1 存储器分类与性能指标 5.2 只读存储器 5.3 随机存储器 5.4 高速缓冲存储器 5.5 虚拟存储器及其管理技术 5.6 存储器地址译码方式及译码电路的设计 5.7 存储器与CPU的连接 存储器是计算机用来存放数据和程序的部件 微型计算机系统对存储器的要求是容量大、速度快、成本低，但三者在同一存储起中不可兼得 内存指得是能被CPU直接访问的主存储器和高速缓冲存储器 5.1 存储器分类与性能指标 5.1.2 半导体存储器的分类 半导体存储器按照制造工艺和存取方式进行分类 按制造工艺分类:分为双极型和MOS型 双极型特点：速度快、但集成度低、功耗大、价格偏低。 按存取方式分类:分为RAM和ROM 5.1.3 半导体存储器的性能指标 衡量半导体存储器的性能指标有：存储容量、存储速度、功耗、可靠性、价格、性价比、体积、重量、电源种类等。 5.2 只读存储器 只读存储器ROM是指在机器运行期间，只能读出事先写入的信息，而不能将信息写入其中的存储器。它主要用来保存固定的程序和数据。 5.2.1 EPROM 比较典型的EPROM芯片有： Intel2716(2K×8)、 Intel2764(8K×8) 、 Intel27512(64K×8)等。它们皆为双列直插式芯片 工作方式 2764与CPU连接 5.2.2 EEPROM EEPROM的典型芯片有:Intel2816/2817、2816A/2817A（2K×8）和2864A（8K×8）。 1．EEPROM的工作原理 EEPROM为电可擦除可编程的只读存储器，它比EPROM使用方便。它可以以字节为单位进行内容改写，而且无论是字节还是整片改写，均可在应用系统中在线进行。擦除操作一般是在写入过程中自动完成，但擦除、改写时间较读取时间长，约为10ms（读取时间是200~250ns），且写入次数有限，约为几百次到几万次。 2．典型的EEPROM芯片介绍 Intel2864A为例，其引脚图如下： 引脚功能图 工作方式图 5.3 随机存储器RAM 随机存取存储器RAM在工作时可以随时读出或写入信息的存储器，主要用来存放当前运行的程序、各种输入输出数据、中间运算结果及堆栈等; 随机存储器可分为双极型和MOS型两种。双极性RAM主要用在高速微型计算机中，微型计算机广泛使用的是MOS型RAM; MOS型RAM分为静态RAM（SRAM）和动态RAM（DRAM）两类。 5.3.1 静态随机存储器SRAM 存储矩阵 一个基本存储单元存放一位二进制信息，一存储器芯片中的基本存储单元电路按字结构或位结构的方式排列成矩阵。 字结构方式读/写一个字节的8位制作在一块芯片上，若选中则8位信息从一个芯片中同时读出，但芯片封装时引线较多。例如1K的存储器芯片由128×8组成，访问它要7根地址线和8根数据线。 位结构是一个芯片内的基本单元做不同字的同一位。例如1K的存储器芯片由1024×1组成，访问它要10根地址线和1根数据线。优点是芯片封装时引线较少。 地址译码器 CPU读/写一个存储单元时，要先将地址送到地址总线，高位地址经译码后产生片选信号选中芯片，低位地址送到存储器。由地址译码器译码选中所需要的片内存储单元，最后在读/写信号的控制下将存储单元内容读出或写入。 控制逻辑与三态数据缓冲器 存储器读/写操作由CPU控制，CPU送出的高位地址经译码后，送到逻辑控制器的CS端。信号CS为片选信号，CS有效，存储器芯片选中，允许对其进行读/写操作，当读写控制信号RD、WR送到存储器芯片的R/W端时，存储器中的数据经三态数据缓冲器送到数据总线上或将数据写入存储器。 2．静态RAM芯片介绍 常见的SRAM芯片有2114、2142（1K×4），6116（2K×8）， 6264（8K×8）等. 以Intel2114为例，其容量为1K×4位，存储时间最大为450ns。 5.3.2 动态随机存储器 1．动态RAM组成 动态RAM的存储元件一般由单只或三只MOS管组成，依靠MOS管栅极电容的电荷记忆信息。为了不丢失信息，须在电容放电丢失电荷信息之前，把数据读出来再写进去，相当于再次给电容充电以维持所记忆信息，这就是所谓的“刷新”。动态RAM集成度高，功耗低，但需增加刷新电路，因此适于构成大容量的存储器系统。 2．DRAM的刷新 动态RAM都是利用电容存储电荷的原理来保存信息的