3二极管..pptVIP

半导体器件原理 南京大学 半导体器件原理 南京大学 d: 窄基二极管 W/Ln1 正偏 反偏 半导体器件原理 南京大学 扩散电流：反向偏压 反偏条件下的产生电流远大于扩散电流。 半导体器件原理 南京大学 同质pn结的产生-复合电流 产生与复合：正向偏压 半导体器件原理 南京大学 正偏pn结的I-V特性 正向偏压较小时，复合电流为主，较大时扩散电流为主 半导体器件原理 南京大学 扩散电流：正比于ni2，或exp（-Eg/kT） 产生电流：正比于ni，或exp（-Eg/2kT） 产生与复合：反向偏压 半导体器件原理 南京大学 反向隧穿 某一特定能量的电子在势垒的另一侧可以找到能量相同的空态时，就可能发生隧穿。 半导体器件原理 南京大学 隧穿过程中的等效势能 半导体器件原理 南京大学 反偏载流子倍增和雪崩 载流子倍增 雪崩 半导体器件原理 南京大学 反向偏压下的击穿 雪崩击穿电压：大于6Eg/q 隧道击穿电压：小于4Eg/q 半导体器件原理 南京大学 反向I-V特性 半导体器件原理 南京大学 同质pn结的小信号电阻 半导体器件原理 南京大学 同质pn结的结电阻 半导体器件原理 南京大学 结电容： 按电压平方根反比变化 半导体器件原理 南京大学 存储电荷电容 正比于扩散电流，随偏压指数变化 (可回收比例