09-混频器的设计素材.pptVIP

* 二、平衡混频器 3、交叉指耦合器平衡混频器 图9-17 交叉指耦合器平衡混频器 图9-17是一个实际的W波段平衡混频器，在这个混频器中，微波功率分配器用宽频带交叉指耦合器构成。交叉指耦合器放大后的结构图如图9-18（a）所示，它是一种宽频带耦合器件，频带宽度可做到1~1.5倍频程，几乎是环形电桥的5~10倍；性能很好，在频带内隔离度可达–30dB，两个输出端口（即端口2和3）相移为90?，而相位差可小于?2?，驻波比也可小于1.2。 * 二、平衡混频器 3、交叉指耦合器平衡混频器 交叉指耦合器的耦合段有两个短指和两个长指，还有一段互通微带。结构原则是短指长度约为工作频段内最高频率的?gh／4，而长指应为最低工作频率的?gh／4，各相应耦合指用跳线相连。跳线可用几十微米直径的金丝或铝丝热压焊接，跳线常是并行若干根，以减少自身电感和增加可靠性。耦合器的指宽度约为0.1mm量级，耦合缝赂小于0.1mm。 信号从端口1输入，由耦合臂3和直通臂2等分输出，第4臂是隔离臂；同样由4口输入的功率也是等分后由2口和3口输出。 另一种类似结构的交叉指耦合器如图9-18（b）所示，称为非折叠式交叉指耦合器。它也是3dB等分功率耦合器，电性能和图9-18（a）所示折叠式交叉指耦合器差不多，尺寸也相近，只是跳线省掉了两根，工艺制作略为简单。 图9-17中的两只混频管连接在同一个扇形短路器上，构成微波短路。由于交叉指耦合器的两个输出臂之间没有直流通路，因此必须再设置两个扇线和两段高阻线引至接地通孔，以便为两只混频管构成直流和中频通路。 中频输出电路中串接了一个低通滤波器，取出中频，阻止残余本振和信号的泄漏，以便提高微波与中频之间的隔离度。 图9-18 交叉指宽频带耦合器的两种型式 （a）折叠式；（b）非折叠式。 * 三、镜频抑制混频器 在任何外差式微波系统中，混频器的镜频抑制都是颇为重要的技术问题。 首先是避免噪声恶化。混频器单边带噪声系数最小极限是3dB。即使在混频器之前有低噪声放大器，而且尽管低噪声放大器噪声系数很低、增益也很高，若没有镜象抑制，则全系统噪声仍将增大3dB（详见第六章低噪声放大器）。 其次是镜频干扰，大气、天电，尤其是镜频附近的通信雷达等无线电设备更构成威胁。 在混频器前加抑制镜频滤波器是重要措施，有些无线电设备要求镜频抑制度较高，可达二三十分贝以上。然而当中频频率不很高时，镜频与信频相距不远，这时，带通滤波器（或带阻滤波器）也很难做到既不影响信频传输，又针对镜频有很高抑制度。尤其是在信号频率经常改变的微波设备中，例如捷变频雷达或某些宽频带微波通信机，当信号频率改变时，镜频超出滤波器抑制频带，滤波器就不起作用了。 抑制镜像混频器是利用两个单平衡混频器，借助于移相器，使两个混频器的镜频产物相互抵消，从而达到抑制镜频的目的。 * 三、镜频抑制混频器 一部分经过电阻R0传到4口，另一部分功率经圆形两臂到达4口，只要这两部分能在4口相互抵消，就能使3口和4口相互隔离。为达到此目的，电阻值应为R0 = 2Z0，而且电阻机械长度要远小于?g／4。所以分支臂做成圆弧，以便和电阻连接。电阻是真空沉积薄膜电阻，频率较低时也可以用片状电阻外焊。 本振功率也是用同样的等分功率器分成两路，一路至混频器A，另一路再延长?g／4之后加到混频器B。 两个单平衡混频器两路输出之一，再经中频移相器移相?／2后相加由中频口引出，图9-19是把混频器（B）的中频移相?／2。中频移相器因频率较低，所以常用集中参数移相网络。 图9-19 镜频抑制混频器 镜频抑制混频器结构如图9-19所示。两个混频器用分支电桥，电桥本身做成了圆形。信号和本振各用1支同相位等分功率器，分别加到两个平衡混频器上。 分功率器输入口阻抗为Z0 = 50Ω，两个半圆分支臂的特性阻抗为 ，长度为?g／4，等分输出器阻抗仍为Z0。电阻R0是隔离电阻，当信号由第2口输入时等分两路，经?g／4两臂到达电阻处是等电位，此时电阻没有影响，由3，4两口输出。反之，在输出口3有微波功率反送入分功率器时，也要分成两部分， * 三、镜频抑制混频器 此种混频器的特点是： （1）外来信号由两个混频器混出的中频在中频端口M处同相迭加输出。 （2）外来镜频干扰或镜频噪声由两个混频器混出的中频在中频端口M处反相抵消，从而获得镜频抑制功率。 （3）两混频器产生的内镜频即2fp – fs = fi在端口2反相抵消，因而减少了镜频在信源的损耗。 （4）信号频率相对于本振的位置是固定的。对于图9-19电路结构，信号频率必须大于本振，即fs＞fp，或者说fs = fp + fif才能有中频输出；若信频低于本振，即f s = fp – fif，将由于移相器作用，在中频口无输出。如果要想接收低于本振的信号