ECRCVD设备镀膜工艺及膜系设计理论综述.pptVIP

ECRCVD设备镀膜工艺及膜系设计理论讲座 ECRCVD设备的基本原理 膜系设计基本理论 650nm LD中应用到的典型λ/4膜系 设计好的膜系在ECRCV设备上如何实现 1 ECRCVD设备的基本原理 2 膜系设计基本理论 3 650nm LD中应用到的典型λ/4膜系 4 设计好的膜系在ECRCV设备上如何实现 * * 制作：李雪冬 1.2 英文翻译 ： Electron Ceclotron Resonance Chemical Vapor Deposition 电子回旋共振化学气相沉积 1.3 设备基本原理：微波激励、磁场限制气体辉光放电产生等离子体，在淀积室中反应并沉积形成介质膜。微波激励气体辉光放电，磁场可以增加离子行程，增加等离子体密度，并在一定程度上限制离子。离子在淀积室中反应，沉积在衬底上形成薄膜。 1.1 工艺目的：在半导体激光器的前后腔面镀光学介质膜用 以形成谐振腔。 1.4 设备示意图（未反映水电气系统）。 1.5 设备结构图（未反映水电气系统）。 1.6 重点概念 分子的平均自由程：分子在连续两次碰撞之间所走过的平均 路程。 等离子体：气体放电过程中分子、离子、电子混合存在,形 成相对稳定的状态，称为等离子体。 气体辉光放电：气体直流放电特性，特点是辉光放电时放电 管管压