[第3章0] COMS实现技术.pptVIP

* Vf VDD Vx 缓 冲 器 （buffer） 图形符号 CMOS实现 思考与讨论： 输入值和输出值都是一样的， 那么为什么使用缓冲器？ Vx = Vf * 缓 冲 器 的 应 用 （buffer） 时间延迟（time delay) Main CLK Hope CLK Real CLK After CLK (buffers) * 缓 冲 器 的 应 用 （buffer） Go to System CLK x Vf Cn time Vdd Gnd 0v N=1时Vf N=2时Vf N=3时Vf N=4时Vf 时间延迟 缓冲器的等价电路 Vx = Vf 三 态 缓 冲 器 x f e 使能信号（enabel signal)决定缓冲器的输出 x f e=0 x f e=1 x e f 0 0 Z 0 1 Z 1 0 0 1 1 1 三 态 缓 冲 器 的 种 类 x f e x f e x f e x f e （a) （b) （c) （d) * 扇 出（Fan Out） 扇出（fan out）：某个门驱动的其他门的个数 总负载电容： Cn = n X C BLOCK 1 BLOCK 2 … BLOCK 10 MAIN BLOCK SUB BLOCK BLOCK 11 BLOCK 12 BLOCK 13 时脉信号 Clock （CLK） * 时 脉 信 号 分 割 CLK A B C D E F G H I K L M N O J 方案 1 CLK A 方案 2 思考与讨论： 每个方案的 扇出（fan out）是多少？ * 时 脉 信 号 的 延 迟（time delay） CLK A B C D E F G H I K L M N O J A B，C D，E，F，G H，I，。。。N，O x y’ x’ y S (a) (b) 异 或 门（XOR） X Y S 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 x y’ x’ y S (a) (b) 同 或 门（NXOR） X Y S 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 ????? ????? CMOS 实 现 技 术 延 边 大 学 工 学 院 电 子 信 息 通 信 学 科 许 一 男 * 300mm wafer * 电 平 表 示 的 逻 辑 值 （一）数字信号的组成：{0 ， 1} 1 0 1 0 1 0 1 0 Vss (Gnd) V0,max V1,max VDD 未定义 逻辑值1 逻辑值0 * 晶 体 管 （一）数字电路由晶体管组成， 晶体管可以看作开关 （二）一般使用的晶体 MOSFET（金属氧化物半导体效应晶体管） NMOS （N沟道晶体管） （三）MOSFET的类型： PMOS （P沟道晶体管） * NMOS 晶 体 管 X = 底 X = 高 栅 (gate) 漏(drain) 源(source) 衬底（体） (body) VG VD VS * NMOS 晶 体 管 VG VD VS = 0 V VD = 0V VG= VDD 时导通 VD VG= 0V 时断开 * PMOS 晶 体 管 X = 高 X = 底 栅 (gate) 漏(drain) 源(source) VG VD VS VDD 衬底（体） (body) * PMOS 晶 体 管 VG VS = VDD VD VG= VDD 时断开 VDD VG= 0V 时导通 VDD * 非 门（inverter) x f x f * 非 门 的 NMOS 实 现（inverter) 5V R Vx Vf R Vx Vf * 非 门 的 CMOS 实 现 VDD Vx T1 T2 X T1 T2 f 0 ON OFF 1 1 OFF ON 0 Vf * 与 门 的 NMOS 实 现 R VDD x1 x2 f 0 0 0 0 1 0 1 0 0 1 1 1 X1 X2 f =X1 X2 R A Vf VDD Vx1 Vx2 f * VDD Vx1 Vx2 Vf VDD 与 门 的 CMOS 实 现 X1 X2 f =X1 X2 f x1 x2 f 0 0 0 0 1 0