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内存产品设计流程 必须采用高速数字电路设计原理 影响高速信号的几个原因： 高速电路设计需要解决: 信号完整性问题. 包括时延,反射,串绕,振铃等 电源完整性问题. EMC/EMI问题. JEDEC提供的规范 DIMM信号类别.(数据,地址信号,命令信号,1/2bank?) 符合对应Row Card的器件封装,尺寸,频率等参数,如DRAM,PLL,REG,AMB等. 原理图(信号连接关系) DIMM外观尺寸. 各种信号的拓扑结构,线长容限,以及端接的阻容器件. 规定阻抗控制(60 Ohm+/-10%)参考叠层. VDDSPD,Vref,VDDQ等电源线以及电源/地层的去藕电容参考容值. 高速电路设计流程 内存设计涉及的器件及作用 DRAM芯片: 数据存储单元.是内存条上的最重要的器件，决定DIMM的容量及带宽。主要芯片厂家有 等. EEPROM芯片: 存储内存的主要性能参数，包括工作频率，内存容量等，开机时，自检程序根据SPD中的参数设置BIOS中内存相关参数. 阻容器件: 电阻及排阻主要用于消除信号反射, 对传输线做源端或终端匹配.电容主要用于旁路,滤波,去藕以及匹配等作用. 对于服务器内存,还会用到控制时钟同步的PLL芯片及数据寄存作用的Register芯片.以及用于Fully Buff