《第7章习题.docVIP

第七章 思考题： 7.1 何谓异质结？画出PN结平衡能带图，并标出的大小范围。 答：所谓异质结就是将两种不同的半导体材料制作在同一块单晶片上，并且通过对两种材料掺不同的杂质所形成的PN结。其平衡能带图如下： 说明：表示真空能级，、分别表示P型半导体的导带底和价带顶；、分别表示N型半导体的导带底和价带顶；表示热平衡状态下有统一的费米能级；表示势垒区在P 区一边的展宽，表示势垒区在N区一边的展宽，表示两种材料的分界线。 从上述异质结的能带图可以看出，它具有下述特点：①由于PN结两边是两种不同的材料，所以其禁带宽度也不同。②在处的N型半导体一边导带有一个势垒尖峰，而在P型半导体一边导带有一个势垒凹口；在处的导带和价带均不连续。 7.2 试述N-AlGaAs/GaAs HBT结构特点及其工作原理。 答： N-AlGaAs/GaAs HBT结构特点是①发射结是缓变异质结，发射区选择禁带宽度大的N型半导体材料，基区选择禁带宽度较小的P型半导体材料，以提高发射结注入比，集电区与基区是同一种材料（导电型号不同），但是掺杂浓度却远低于基区；②发射区的掺杂浓度低于普通BJT，以减小发射结电容，也能减弱发射区重掺杂所导致的禁带变窄效应和俄歇复合的影响，基区的掺杂浓度高于普通BJT，以降低噪声，提高工作频率及功率增益，并减弱基区电导调制效应和发射极电流集边效应；③基区很薄（亚微米级），减少了基