第六章 半导体的物质结构和能带结构.docVIP

第6章 异质结和纳米结构 1、试讨论用窄禁带n型半导体和宽禁带p型半导体构成的反型异质结中的能带弯曲情况，画出能带图。 答： 仿照第4章对pn同质结的讨论方法，完成突变pn异质结接触电势差表达式（6-5）和势垒区宽度表达式（6-7）的推导过程。 解：设p型和n型半导体中的杂质都是均匀分布的，其浓度分别为NA1和ND2。势垒区的正负空间电荷去的宽度分别为(x0-x1)=d1，(x2-x0)=d2。取x=x0为交界面，则两边势垒区中的电荷密度可以写成 势垒区总宽度为 势垒区的正负电荷总量相等，即 Q就是势垒区中单位面积上的空间电荷数值。因此上式可以简化为 设V(x)代表势垒区中x点得电势，则突变反型异质结交界面两边的泊松方程分别为 ε1ε2分别为p型及n型半导体的介电常数。对以上两式分别积分一次得 C1‘C2是积分常数，有边界条件决定。因势垒区外是电中性的，电场集中在势垒区内，故边界条件为 注意，在交接面处的电场并不连续，但电位移连续[即]。由边界条件定出 将C1C2带入上式中得 对以上两个公式积分得 在热平衡条件下，异质结的接触电势差VD为 而VD在交界面p型半导体一侧的电势降为 而VD在交界面n型半导体一侧的电势降为 在交接面处，电势连续变化，即，故 令V1(x1)=0，则VD=V2(x2)，并带入上面的公式可得 因此，降D1，D2分别带入得 由，即得接触电势差VD为 而 ， 进一步化简可知 ； 将上述两式带入VD公式得 进一步可以求得势垒区宽度XD为 仿照第4章对pn同质结的讨论方法，完成突变pn异质结微分势垒比电容表达式（6-8）的推导过程。 解：势垒区总宽度为 (1) 势垒区的正负电荷总量相等，即 (2) 由(1),(2)式可得 (3) 势垒区宽度XD为 (4) 将(4)带入(3)式可得 (5) 由微分电容定义C=dQ/dV,即可求得单位面积势垒电容和外加电压的关系为 已知纤锌矿结构GaN和AlN的电子亲和能分别为4.1eV和0.6eV，禁带宽度分别为3.39eV和6.2eV。设固溶体AlxGa1-xN的电子亲和能和禁带宽度随组分比x线性变化，试按安德森定则求nn-GaN/Al0.2Ga0.8N同型异质结的(EC和(EV，并画出能带示意图。 解：导带底在界面处的突变△EC为两种材料的电子亲和能之差，即： 价带顶的突变自然就是两种材料禁带宽度之差的剩余部分，即 固溶体AlxGa1-xN的禁带宽度EgAlGaN(X)由下式计算 代入GaN和AlN禁带宽度3.39eV和6.2eV，计算可得 固溶体AlxGa1-xN的电子亲和能随组分比x线性变化 代入数据可得 因此nn-GaN/Al0.2Ga0.8N同型异质结的(EC为 因此nn-GaN/Al0.2Ga0.8N同型异质结的(EV为 用安德森定则计算一个用n-Ge与p-GaAs形成的异质结在室温下的△EC，△EV和VD。已知Ge和GaAs的电子亲和能分别为4.13eV和4.07eV，掺杂浓度均为1016cm-3，Ge在300K时的ni=2.4×1013cm-3。 解：查表可知，GaAs的禁带宽度为1.43eV，Ge的禁带宽度为0.66eV 根据安德森定则 异质结在室温下的△EC为 异质结在室温下的△EV为 查表可知，掺杂浓度均为1016cm-3时n-Ge与p-GaAs的功函数分别为4.31eV和5.32eV。 代入公式可得VD 对用受主浓度为1×1015cm-3的p-Ge和施主浓度为1×1014cm-3的n-Si构成反型异质结，求其室温热平衡状态下的接触电势差VD和势垒区总宽度X及其在两边的分配VD1、X1和VD2、X2，并据此画出能带图。已知Ge和Si的电子亲和能分别为4.13eV和4.05eV，室温下杂质完全电离。（我计算了一个结果，感觉不太对，就没计算其它结果） 解：查表可知Ge和Si的功函数分别为4.57eV和4.37eV 由接触电势差公式可知 由势垒区宽度公式可知 代入数据可得XD=1.72×10-2cm 结左边的空间电荷区宽度为 代入数据可得X1= 交界面p型半导体一侧的电势降为 代入数据可得VD1= 结右边的空间电荷区宽度为 代入数据可得X2= 交界面n型半导体一侧的电势降为 代入数据可得VD2= 大致绘出Al0.3Ga0.7As/GaAs突变异质结在下列情况下的能带图：(a)n+-AlGaAs与本征GaAs;(b)n+-AlGaAs与p-GaAs，(c)p+