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Pixel结构.
Pixel结构pixel结构图—3T组成图主要组成部分:微透镜(Microlens)、彩色滤镜(Color Filter)、行选、列选、复选和源跟随器。主要控制电压:Rowsg(高为RowsgHigh,低为RowsgLow)、TX(高为txhigh,低为txlow)、Rst(高为Rsthigh,低为0)主要完成功能:清电子,积分,电子读出3.pixel工作流程1)清电子:Pixel积分之前,先将Reset管打开,将Rowsghigh电压传到FD上;然后再将TX管打开,将Photodiode的电子抽至FD,目的是将Photodiode的电子清干净;2)积分:Rowsg电压为低(Rowsg_low)时,pixel处于收集光的状态(积分区),此时Reset管开启为高,FD电压为Rowsg_low,这是为了防止在积分时Photodiode漏电而导致Range下降;3)电子读出:分两步:①读出reference 当Row_sg电压为高(Rowsg_high)时,reset管从高逐渐变低,tx管接低,此时FD上对比初始电压会有一个小的压降,即为reference。②读出signal在以上基础上,将txhigh接高,tx管处于导通状态,photodiode电子会被抽到FD上,FD上电压会继续下降,对比读出reference时的电压,产生又一个压降,即为signal。pixel主要特性参数填充因子(Fill factor) 指光电转换装置的面积占整个总像素面积的百分比。一般来说,8share要比4share的高,4share又高于2share。量子效率(Quantum Efficiency,QE)指入射到sensor表面的光子能够产生电子空穴对的百分比。和光波长以及半导体的材料相关(如ColorFilter材料)。3)满阱容量(Full Well Capacity)像素中photodiode收集和转移电荷都有一个最大值,势阱中电荷达到饱和时的容量4)动态范围(Dynamic range) 定义为像素满阱容量与无光条件下噪声电平的比值,表达式如下:DR=20log(FWC/dark_noise)[db]光谱响应 定义为不同波长的光子产生电子-空穴对的能力,但是通常是用来评估ColorFiter的光透过率。灵敏度(Sensitivity) 像素经过一个曝光周期获得的输出电压与光总量的比值,通常单位为V/(lux*s)。在相同产品不同版本做横向对比时,有时也可用DN/s表征。信噪比(SNR)指输入信号电平与噪声水平在一定光照下的比值。SNR=20log(N_signal/n_noise)[db]暗电流指sensor在无光条件下的响应,与制造工艺、器件结构和温度等都有关系。(光敏电阻无光照时产上的电流)pixel主要特性参数的测试Lab常温测试项目Sensitivity CrosstalkBloomingRangeLinear FWCLagLab高温测试项目Dark currentWPLag is a measurement of incomplete charge transfer after once pixel read-out
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