深亚微米器件的蒙特卡罗模拟学案.pptVIP

深亚微米器件的蒙特卡罗模拟 深亚微米器件的蒙特卡罗模拟 组长：张科 组员：陈嘉 陈耀 郭健民 姜娟 李博 宁军 王瑞江 幸强 严晗 深亚微米器件的蒙特卡罗模拟 近年来，由于高速度小尺寸器件的发展，半导体器件的传统模拟方法已不能适应半导体器件发展的需要。集成度的提高，尺寸变小，内部电场变强，在器件内部产生新的效应。在此领域内，蒙特卡罗方法，作为一种可靠的微观方法，日益获得更多的应用。 半导体材料或器件的电性能，无论是直流特性或频率特性，都是载流子在电场作用下运动的结果。载流子的运动，由于晶体中周期势场被破坏，遭受散射，改变运动方向。 深亚微米器件的蒙特卡罗模拟 半导体中载流子的主要散射类型包括： 1. 电离杂质散射，散射几率 (Ni为电离杂质浓度，Th为绝对温度)。 2. 晶格振动散射，主要有声学波散射和光学波散射两种。 3. 其它因素引起的散射，主要有谷间散射、中性杂质散射(包括碰撞电离)和位错散射等。 深亚微米器件的蒙特卡罗模拟 为什么可以用蒙特卡罗方法模拟？ 存在三种随机事件：在一次碰撞以后，下次碰撞何时发生，自由飞行时间的长短；散射属于何种类型；散射后载流子波矢取何方向。 蒙特卡罗方法的核心是用随机数处理和散射相联系的随机过程。 深亚微米器件的蒙特卡罗模拟 我们利用 Monte Carlo 方法，对描述半导体器件模型的 Piosson 方程和 Boltzmann 传输方程 进行求解。 深亚微米器件的蒙特卡罗模拟 模拟环节的顺序是： 1.选择自由飞行时间tf； 2.根据初态波矢k(0)、 tf和电场E确定飞行终态 波矢量k(tf)； 3.根据终态能量选择散射机制； 4.根据选定的散射机制选择散射终态波矢。 深亚微米器件的蒙特卡罗模拟 1. 自由飞行时间 由服从的分布并通过随机数确定。 自由飞行时间的概率密度为： 式中λ(t)为总散射率，应为能量的函数,但在给定了初始波矢及电场后，两者之间比较容易转换。 深亚微米器件的蒙特卡罗模拟 设r为随机数,则由下列方程确定时间自由飞行 自由飞行终态 由自由飞行时间、自由飞行初态和电场决定。设 E为电场矢量，则载流子自由飞行所满足的 方程为 深亚微米器件的蒙特卡罗模拟 由此求出的波矢随时间变化关系为 此外,动能E随时间的变化为 式中 为载流子有效质量 由 则载流子速度v(t)可表示为 深亚微米器件的蒙特卡罗模拟 3.散射类型 由随机数及各种散射的散射率大小决定 设所考虑的第i种的散射率为 ， 为总散射率， r为随机数,令 为所考虑的散射类型数。若 成立，则第 j 种散射被选定。 深亚微米器件的蒙特卡罗模拟 4.散射终态 由散射角、方位角、散射类型和自由飞行终态决定。一旦确定了散射类型，选择散射终态便有了依据 。 散射终态的选择一般涉及三方面的内容： a.散射后载流子所处的能谷 b.终态载流子的能量 c.终态波矢及其方向 深亚微米器件的蒙特卡罗模拟 我们选择声子散射机构模拟 流程图： 模拟过程： 深亚微米器件的蒙特卡罗模拟 从曲线上我们能看到：对深亚微米器件，在短沟道的场效应晶体管中源——漏间常存在集中分布的强场区，载流子从弱场区进入强场区时，速度 “冲”到一个很高的峰值，然后缓慢回落，最后趋于稳定。又由于小尺寸效应，使整个沟道的载流子的平均漂移速度比大尺寸器件增大几倍 深亚微米器件的蒙特卡罗模拟 以MESFET为例阐述： 源漏间电压主要集中在栅 下形成一个相当厚的耗尽 层。若栅长为0.5um，漏电压为1v，则栅下的平均电场强度可达20kv／cm。但栅下的电场并不是均匀分布的，电场峰值在漏端附近。 深亚微米器件的蒙特卡罗模拟 对于强场问题，我们的模拟结果： V-x曲线 深亚微米器件的蒙特卡罗模拟 当载流子由沟道外的弱场区进入沟道强场区时，将经历速度过冲效应。 在弱场区，载流子浓度梯度足够小，以致分布函数相对于平衡分布的改变量足够小，电场的变化并不导致电子平均能量的改变，（可忽略不计），但分