251SDM焊线制程检验规范..doc

说 明 1.范 围:已焊线之半成品(SMD) 系列。 2.使用设备及工具:显微镜、镊子、拉力计。 3.抽检方式:(1) 每2小时抽检3片进行外观检查。抽检重点:a颈部错位或受损.b.拨铝垫或焊球松起。 (2) 晶线拉力试验每台机每1小时抽检5PCS (做拉力之材料需夹线处理). 4.检验项目:标示检查、外观检查、特性检查。 5.记 录:晶线拉力值记录于焊线拉力统计表。 6.判定标准:(1)外观检查: A):不良率出现在P管制图以下(a)-(e)异常情形,则开立“制程矫正措施单”且追溯前2小时之批量材料再Q检,Q检不良率在(a)-(e)情形则将此两批材料全数退回生产线重工、全检。 (a)点超出管制上限. (b)点落在P管制上限线上时. (c)连续7点落在中心线之上或之下. (d)连续7点上升或下降. (e)任何其它明显非随机的图形. B)芯片暗裂有1PCS不良时,生产线停机台调整,IPQC开立“制程矫正措施单”IPQC追溯前2小时材料进行抽检,生产线须对前2小时材料进行全检,超过1%(含)则整批材料(含2小时材料)报废。 (2) 特性检查:A、焊线拉力值1PCS(含)以上不良时,开立“制程矫正措施单”,若不良在4g(含)以下时,则追溯前1小时材料报废。 说 明 b.焊线拉力值OK而断点在A点或E点时,则开立制程矫正措施单,同时此批材料需做试验验证其特性,并把其处理结果写于制程矫正措施单备注栏内. 7.其它 (1)外观抽检时间不可超过2小时. (2晶线拉力抽检时间不可超过1小时. (3)P管制图界限的设定. CL中心线设定=∑r(总不良个数)/ ∑n(总检查个数) UCL(管制上限)设定= 式中n指平均单次样本大小,表示平均不良率. 检查 项目 品质特性及标准 使用设备 备注 标示检验 .流程卡型号与所载材料型号不符。 / 流程卡与材料所载不符。 / 外观检查 1．漏焊：遗漏未焊。（图一） 显微镜 2．错焊：晶线未焊于工作指示单所规定的焊接线路上。（图二） 显微镜 3．松焊：焊线后第二焊点松起。（图三） 显微镜 4．边焊：第二焊点在小支架边缘处算起2mil以内。（图四） 显微镜 检查 项目 品质特性及标准 使用设备 备注 外观检查 5．焊球大小： 5．1厚度大于等于13μm小于等于25μm。 5．2压扁后球径100～μm,且不可将铝垫全部覆盖。（图五、六、七）；铝垫直径或宽度小于100μm时，焊球占铝垫面积75%以上即可。双焊线晶球径86-95μm，且晶球不可超过PAD。 显微镜 6.拔铝垫:晶球将铝垫拔起。（图八） 显微镜 7．断线：晶线断裂正、负极未连接。（图九） 显微镜 8．线受损：晶线表面被外物刮伤，有刮痕，但未足以造成断线或导电不良者。（图十） 颈部错位：线径不可错开在H（颈部）外或线径不可有缩小现象。（图十一） 显微镜 9．弧度不良及塌线之规定如下：符合A、B、C、D四者为合格，E为不良。 A、弧主鞍低可能造成晶线颈部受力或塌线或钢咀撞损芯片。（图十二C） B、弧度过高可能日后造成塌线。（图十二B） C、为防止封胶后线弧塌落，自焊站A尺寸至少保有3根晶线线径以上之距离。A处最小不得低于1根晶线线径或晶线界于碗边缘不小于1根晶线线径。（图十二D） D、弧高须在规格范围内。（图十二A） E、线弧倾斜不得凸出超过芯片宽度。（图十二E） F、SMD系列B角度不小于30°。（图十二G） G、金线不得受到外力挤压而形成线形绕曲或转折。（图十二F、H） H、晶线下塌不可超过两极性中央的1/2或小于90μm。（图二十七） 显微镜 10．焊线线尾：第一焊点不可有线尾存在，第二焊点线尾是从第二点的余尾算起不可超过0.15mm.(图十三) 显微镜 11．杂物：不得有杂物。 显微镜 12．芯片松起焊线时芯片由于受力形成松动、不可有芯片翘起、松动及裂痕。（图十四） 显微镜 检查 项目 品质特性及标准 使用设备 备注 外观检查 4．晶线弧高（图二十六） 显微镜 5．晶线线径区：1.0mil晶线，线径为1.0mil。 显微镜 线 型 位 置 说 明  图三十 焊点上限 焊点宽度不可大于100μm,焊点过大过扁,应力集中易造成晶线断线。 不亮 NG 图三十一 焊点下限 焊点宽度不可小于50μm,焊点过小,晶线容易松脱、抬起。 不亮 NG 检查 项目 SMD材料品 质 特 性 及 标 准 图序 名称 图 示 说 明 最终可能发生问题 判定 图一 未焊线 第一点芯片与第二点焊线位置没有打线形成开路。(虚线