新·电工学第4章-精.pptVIP

* * /webnew/ 一、半导体三极管 二、放大电路的基本知识 三、共发射极基本放大电路 四、稳定静态工作点的放大电路 第4章 半导体三极管及基本放大电路 五、多级放大电路 六、功率放大电路 4.1 半导体三极管 半导体三极管是一种具有两种载流子（自由电子和空穴）参与导电，并有三个电极的电流放大器件，又称晶体三极管，简称晶体管。它由两个背靠背的PN结构成。 4.1.1 半导体三极管的结构 半导体三极管种类很多，按半导体材料分，有硅管和锗管；按频率分，有高频管和低频管；按功率大小分，有大、中、小功率管；按内部结构分，有PNP型管和NPN型管；按工艺分，有合金管和平面管。 三个电极分别为发射极（Emitter）、基极(Base)和集电极（Collector），分别用字母E、B和C表示。 为了使晶体管具有放大作用，在制造时应具有以下结构特点： 1．集电区面积比发射区面积大，掺杂浓度比发射区小，专门用于收集载流子； 2．发射区掺杂浓度远大于基区的杂质浓度，以便于有足够的载流子供“发射”； 3．基区很薄，杂质浓度很低，以减小载流子在基区的复合机会。 图4.1 晶体管的结构示意图和图形符号 4.1.2 半导体三极管的电流放大作用 图4.2　晶体管特性测试电路 晶体管的放大是通过内部载流子的传输和控制作用实现的，即发射区向基区注入载流子，基区传输和控制载流子，集电区收集载流子。 由实验测量的数据可得出以下结论： 1．三极管中的电流分配关系 表4.1中每组IB、IC、IE数据都符合以下关系： IE=IB+IC 把三极管看作一个广义的节点，这是符合基尔霍夫电流定律的。 2．三极管的电流放大作用 表中IC≈IE ，IB比IC 、IE小的多。当IB有微小变化时，IC有较大的变化。这种用基极电流的微小变化来使集电极电流作较大变化的控制作用就叫做晶体管的电流放大作用。IC与IB的比值用表示，称为静态电流放大系数。 IC的变化量ΔIC比IB的变化量ΔIB大，其比值用β表示，称为晶体管的动态电流放大系数。 4.1.3 半导体三极管的特性曲线 图4.3 晶体管输入特性曲线测试图 图4.4 晶体管的输入特性曲线 1．晶体管输入特性曲线 当晶体管的集电极与发射极之间的电压uCE为常数时，基极电流iB与基极电压uBE之间的关系曲线族称为晶体管的输入特性曲线，如图4.4所示。 2．输出特性曲线 当基极电流iB为某一定值时，集射极电压uCE和集电极电流iC之间的关系称为晶体管的输出特性。如下图所示。 输出特性曲线分为放大区、饱和区和截止区 （1）放大区 发射结正偏，集电结反偏时，对应的是曲线中平坦部分组成的区域即放大区。 （2）饱和区 当uCE＜uBE时，发射结、集电结均正偏，处于饱和状态。 （3）截止区 发射结、集电结均正偏 。 晶体管工作在放大区具有放大作用，在模拟电子电路中得到广泛应用；工作在饱和区和截止区时具有开关作用，主要用在脉冲数字电路中。 4.1.4 半导体三极管的主要参数 1．电流放大系数 电流放大系数是用来表征晶体管电流控制能力的参数，晶体管在共射极接法时，其集电极电流IC（输出电流）与基极电流IB（输入电流）的比值为共发射极电路的静态电流放大系数，用表示（手册中用hFE表示）。即： 晶体管的动态电流放大系数 2．极间反向电流 （1）集电极—基极反向饱和电流ICBO （2）集电极—发射极反向饱和电流ICEO 3．集电极最大允许电流ICM 4.2 放大电路的基本知识 4.2.1 放大电路的概念 放大电路实质上是一种能量控制。 4.2.2 放大电路的主要性能指标 放大倍数是衡量放大器放大信号能力的特性指标。 电压放大倍数 电流放大倍数 电压增益：Au(dB)=20lg∣Au∣ 电流增益：Ai(dB)=20lg∣Ai∣ 2．输入电阻Ri 放大电路的输出端口处等效电阻就是输出电阻，Ro的值越小，接入负载RL后Uo越接近Uoo，放大电路带负载能力越强。 3．输出电阻Ro 放大电路的输入端口处等效电阻就是输入电阻，它是信号源负载。 4．非线性失真 半导体器件的非线性，会引起放大电路的非线性失真。 4.3 共发射极基本放大电路 由三极管组成的放大电路有共发射极、共集电极和共基极三种基本组态。 4.3.1 共发射极基本放大电路的组成 图4.7 共发射极基本放大电路 1．电路中各元件作用 （1）晶体管V 有两个作用。一方面保证晶体管T工作在放大状态。另一