模擬电子技术复习题.docVIP

模拟电子技术复习题 2.1.1·在绝对零度（0K）时，本征半导体中_________ 载流子。 A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数 ·在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生_________。 A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对 半导体中的载流子为_________。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子和空穴 N型半导体中的多子是_________。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子 P型半导体中的多子是_________。 A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子·当PN结外加正向电压时，扩散电流_________漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等与 ·当PN结外加反向电压时，扩散电流_________漂移电流。 A. 大于 B. 小于 C. 等于在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的相位_________。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 ·在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的相位_________。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 ·既能放大电压，也能放大电流的是_________组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定·在单极共集放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的相位_________。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 ·在单极共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的相位_________。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90度 D. 不确定 ·可以放大电压，但不能放大电流的是_________组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 ·可以放大电流，但不能放大电压的是_________ 组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 ·在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是_________组态。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 ·在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最大的是_________组态。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 ·在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输入电阻最小的是_________组态。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 ·在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中，输出电阻最小的是_________组态。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 ·多级放大电路与单级放大电路相比，总的通频带一定比他的任何一级都_________。 A. 大 B. 小 C. 宽 D. 窄 ·多级放大电路的级数愈多则上限频率fH越_________。 A. 大 B. 小 C. 宽 D. 窄 ·多级放大电路的级数愈多则高频附加相移_________。 A. 大 B. 小 C. 宽 D. 窄 ·场效应管是利用外加电压产生的_________来控制漏极电流的大小的。 A. 电流 B. 电场 C. 电压 ·场效应管是_________器件。 A. 电压控制电压 B. 电流控制电压 C. 电压控制电流 D. 电流控制电流 ·三极管是_________器件。 A. 电压控制电压 B. 电流控制电压 C. 电压控制电流 D. 电流控制电流 ·结型场效应管利用删源极间所加的_________来改变导电沟道的电阻。 A. 反偏电压 B. 反向电流 C. 正偏电压 D. 正向电流 ·场效应管漏极电流由_________的漂移运动形成。 A. 少子 B. 电子 C. 多子 D. 两种载流子 沟道结型场效应管的夹断电压Vp为_________。 A. 正值 B. 负值 C.vGS ? D. 零 ·N沟道结型场效应管的夹断电压VP为_________。 A. 正值 B. 负值 C. 零 ·P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为_________。 A. 正值 B. 负值 C. 零 ·所谓电路的最大不失真输出功率是指输入正弦波信号幅值足够大，使输出信号基本不失真且幅值最大时，_________。 A.? 晶体管上得到的最大功率 B. 电源提供的最大功率 C. 负载上获得的最大直流功率 D．负载上获得的最大交流功率 ·所谓效率是指_________。 A. 输出功率与输入功率之比 B. 输出功率与晶体管上消耗的功率之比 C. 输出功率与电源提供的功率之比 D. 最大不失真输出功率与电源提供的功率之比 ·甲类功放效率低是因为___