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溅射装备系统的最新构成是多腔集成设备： 真空锁，将单个硅片从硅片架里移动到系统的真空背景下。由双真空锁构成，可将硅片从大气环境分级地移动到系统的真空腔中。 自动传输系统，从各种处理腔和寄存腔中移动硅片。它通过磁耦合实现，以使自动传输装置的驱动电机安装在工艺腔外以减少颗粒。 * * 　　 每一种淀积系统的变化都是在薄膜特性和质量控制上的改进。 Barrier Metals SiH4 Ar N2 N2 Ti PVD Targets * Physical Vapor Deposition Chambers Cluster Tool Configuration Transfer Chamber Loadlock Wafers PVD Chamber Transfer Chamber Cryo Pump Wafer N S N + e - Backside He Cooling Argon Nitrogen Reactive Gases DC Power Supply (+) * High proportion of the total product use Process Conditions Pressure: 5 mTorr Temperature: 200 degrees C. RF Power: * * * * PVD Target PVD Chamber CVD Chamber * * 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 物体由于外因(受力、湿度变化等)而变形时，在物体内各部分之间产生相互作用的内力，以抵抗这种外因的作用，并力图使物体从变形后的位置回复到变形前的位置。在所考察的截面某一点单位面积上的内力称为应力 * 1）在高真空腔等离子体中产生正氩离子，并向具有负电势的靶材料加速； 2）在加速过程中获得动量，并轰击靶； 3）离子通过物理过程从靶上撞击出（溅射）原子，靶具有想要的材料组分； 4）被撞击出（溅射）的原子迁移到硅片表面； 5）被溅射的原子在硅片表面凝聚形成薄膜，与靶材料相比，薄膜具有与它基本相同的材料组分； 6）额外材料由真空泵抽走。 * * * 25 Praxair Semiconductor Manufacturing Technology, Module 3: Semiconductor Manufacturing Processes Physical Vapor Deposition (PVD) PVD Metals Both non-reactive argon sputtering and reactive nitrogen sputtering are employed in depositing a variety of metals, including titanium, titanium nitride, and aluminum copper alloys. These processes are performed at low operating pressure (less than 5 mTorr) to maximize film density and deposition rate: More scattering at higher pressures slows the deposition rate and leads to glancing angles for deposition, leading to a less dense film. Because of the reactivity of some of these materials, multi-chamber tools called “cluster tools” have been developed which allow multiple sequential operations automatically without exposing the wafer to air. These cluster configurations also provide leverage in manufacturing efficiency.