薄膜材料制备技术ppt解析.ppt

化合物的沉积与离子的活化过程相分离，且可分别得到独立控制，提高物质的离化率 维持比溅射沉积法高一个数量级的沉积速率 衬底温度低——在较低的温度下即可获得相应的金属化合物薄膜 可在任意基底上，包括金属、非金属上获得化合物薄膜 活化反应离子镀的优点 活化反应离子镀技术可以被用于各种氧化物、碳化物、氮化物薄膜的沉积,如 Y2O3, TiN, TiC, ZrC, HfC, VC, NbC等 活化反应离子镀方法的优点在于其沉积温度较低（与后面要介绍的化学气相沉积技术相比），因而可被用于制备各种不能经受高温的耐磨零件的涂层 活化反应离子镀 其缺点: 离化率和活化程度仍然较低，因此又发展了热电子辅助的活化反应离子镀 热电子辅助的活化反应离子镀装置的示意图 这比活化反应离子镀又多了一个发射热电子的热阴极(辅助极，形成三极离子镀)，可降低气体压力，提高过程的可调节性 S. Wouters et al. /Surface and Coatings Technology 92 (1997) 56-61 利用热阴极的方法使之在阴极、阳极之间发生辉光放电而形成等离子体，提高蒸气粒子、反应气体原子的离化率，强化电离作用 利用热阴极的好处是可降低气体放电的压力（10-2Pa），减少气体对蒸发原子的散射。被蒸发物质的原子在通过等离子体区时会发生部分的离化，它们与活性气体离子一起被偏压加速至衬底表面并形成化合物薄膜 热电子辅助的活化反应离子镀 热电子发射阴极的作用明显表现在阳极伏安特性曲线上 活化反应离子镀法在低于120V时阳极电流只有几毫安；在辅助情况下，阳极电流大幅度增加，产生辉光放电 不需再使用电子枪，仅由热电子发射极提供电子就可以维持等离子体 热电子辅助前后, 活化反应离子镀的阳极伏安特性曲线 热阴极的 作用 ? 蒸发和等离子体的产生过程不仅可以独立地调节，且可在沉积速率保持恒定时，大幅度增强等离子体，提高蒸发物质的离化率 发射极提供的热电子可独立产生等离子体，因而电阻和激光蒸发也可作为蒸发手段，而不必一定采用电子束加热蒸发源 热电子辅助的活化反应离子镀的特点 与活化反应离子镀同期，发明了射频放电离子镀（RF-IP）, 其蒸发源仍采用电子束蒸发方式 在蒸发源与基体之间设置射频感应线圈，电子在其射频电场作用下震荡运动，延长了电子到达阳极的路径，增加了电子与气体及蒸气原子碰撞的几率，能在10-1-10-3Pa低气压下稳定放电（通常二极直流放电离子镀的气压为1Pa左右）。因此，在电子束作蒸发源时，不必设置维持气压的隔板 射频放电离子镀时，被蒸镀物质原子的离化率可达 10% 射频放电离子镀 射频放电离子镀装置的示意图 加速区 蒸发区 离化区 (1973) 偏置极 ? 射频放电离子镀装置内部可分为三个区域 以蒸发源为中心的蒸发区 以射频线圈为中心的离化区 以衬底为中心，使离子加速并沉积的离子加速区 射频放电离子镀 调节蒸发源功率、线圈激励功率、偏压等，可对蒸发、离化、加速三个过程进行独立控制 尤其是可依靠提高射频激励增加离化率，优化薄膜沉积过程 溅射离子镀(sputtering ion plating)是在溅射沉积法的基础上，在基片上施加偏压，并可通入反应气体，形成薄膜的方法。 在溅射一讲中,我们已将其称为偏压溅射。 根据溅射过程中放电的特征，又分为直流溅射离子镀、射频溅射离子镀、反应控溅射离子镀等。 溅射离子镀(偏压溅射) 空心阴极电弧离子镀装置的示意图 HCD电子枪 反应气体 真空室 工件 电源 蒸发源 使用45?或90?偏转型HCD电子枪 HCD: hollow cathode discharge 活化极 偏置极 (1972) 用空心阴极电子枪代替了普通的电子枪，即构成了空心阴极离子镀。空心阴极与坩埚间构成了蒸发源，与活化极间构成了离化源 空心阴极电弧放电的情况下,可产生数百安培的电子束，比其他离子镀方法高100倍；使其偏转后即可用于热蒸发。浓度极高的蒸气流通过蒸发源上方的等离子区时被激发和电离，形成大量的离子和高能中性粒子，不仅可形成密度达1015/cm2.s的离子流，还携带了比其他离子镀方法高2-3数量级的高能中性粒子，飞向施加负偏压的基底，沉积形成薄膜。物质的蒸发速率高，薄膜的沉积速率快 空心阴极电弧离子镀 空心阴极离子镀的最大特点是电流大,所蒸发的物质离化率高。被蒸发物质的离子将造成对衬底的高强度的轰击，形成高致密度的薄膜 其放电气压为0.1-1Pa，不再需要电子束蒸发时所需的压力隔离 电压低，装置简单可靠 空心阴极电弧离子镀的特点 该技术自1972年出现后，获得广泛应用，已成功地被用于装饰、耐磨等薄膜沉积 另外一种空心阴极电弧离子镀装置和其示意图 使用电子束蒸发源物质 使