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自组装量子点的激子单轴应力作用
自组装量子点的激子单轴应力作用摘要:探究单个自组装量子点的中性激子被施加单轴应力作用后的精细结构。将样品施加一个沿[110]晶轴方向的可调单轴应力,用高分辨率激光光谱仪器测量激子的反射型瑞利散射光谱。我们发现使用这种拉伸技术,量子点势能会发生改变,这样以来使得激子精细结构分裂能量会大幅度减小。纠缠光子近年来勾起了大量科学家在理论和实验上的研究它的兴趣。半导体量子点(QDS)已经被提出来作为偏振纠缠光子的光子源。提出的主要方案是利用有两种辐射衰变的双激子。目前,实际限制条件是在中间状态和单激子基态的交换裂分时存在各向异性。这分裂起源于量子点禁闭势不圆柱对称,从而导致有两条不同的线性和正交化的发射谱线。这交换分裂出现了几个有趣的效应。例如:圆偏振光激发的量子拍和全光量子门的可能性。此外,交换分裂对偏振纠缠光子对产生了重大的影响。当交换分裂比跃迁辐射宽度小的时候,期望两个单激子的衰减路径不会在其两条轨道间区分和不会发生干扰。另外的一个限制条件是,当交换分裂辐射展宽时,双激子产生的是偏振相关光子对而不是偏振纠缠光子对。实际上,在InGaAs中的自组装量子点的激子辐射展宽通常是1微电子伏特,然而交换分裂展宽是几十微电子伏特。然而缺乏反演对称的III-V族晶族本身是交换分裂的一个源。量子点的交换分裂是通过压电场对称地击穿结构的各向异性来控制的。比如说,InGaAs量子点的伸长通常是沿着[110]晶轴自组装生长的结果。在这种情况下,不需要操纵交换分裂产生偏振纠缠光子对是可能的。一个明显的挑战是开发新的技术来调整交换裂分,甚至终极目标是在辐射展宽的限制下减小交换分裂展宽。退火生长的使用发现明显减小了交换裂分,但是不太可能使它消失和其调整也不可能在原位执行。面内电场已经显示在可调谐方式减少了交变裂分,但不幸的是一个大电场现在要求交换分裂趋近于0,而且在这些大范围电场内,场致电子-空穴交叠的减少戏剧性地导致了激子发光强度的减弱。到目前为止,最成功的方法是使用面内磁场结合小而且是负的AES,实现优化生长,调整AES到0.最近报道过偏振纠缠光子强有力的证据。在这篇文章中我们提出一个可替代的方法。我们发现沿其主轴施加可调单轴应力在量子点上会恢复激子波函数的圆柱对称性而不减少激子振子的强度。在可控方式下使样品(4×3×0.5立方毫米)变形的方法是将它紧紧地沾在压电锆钛酸铅(PZT)陶瓷叠层上如图1所示。压电堆组件的拉伸方向是平行排列于晶体的[110]轴。压电叠堆组件另一端连接到一个安装有1.3微米光点直径的低温(4.2K)共焦显微镜的L形支架上。该显微镜装备着一个三轴的Attocube公司的定位器,我们可以将激光束聚焦在单个的量子点上。显微镜插入到一个小的薄壁不锈钢管中,顺次将其顶部装入一个液He浴低温恒温器。整个显微镜和样品采用低温He交换气来冷却。为了从相邻峰中选择出单一量子点频谱,该显微镜使用了一个标准的光致发光结构。这种设定是热稳定的,允许单点对齐调查进行数周。样品中的量子点被嵌入一个场效应异质结构。样品中有个高n型参杂的区域充当背栅极。样品处理来和背栅极欧姆接触,样品表面处理来和NiCr的半透明肖特基接触。在实验中,背栅被连接到压电堆叠层的底以便屏蔽边缘场来产生100微米的周期性极化堆栈。顶部栅极施加一个电压是通过斯塔克效应转移量子点激子能量。通过窄带激光的能量来调谐量子点,通过瑞利散射来检测其共振。以这种方式,我们能高分辨率演示,小于0.1微电子伏,比辐射展宽(1微电子伏)限制小的多。以前,我们在传输中检测共振瑞利散射。在此实验中表明,压电叠层截断了传输信号,我们测量它的反射率来代替。在反射率实验中,激光束聚焦在量子点上至衍射限制。光反射离开样品表面,通过瑞利过程背向散射离开量子点,通过显微镜客观上通过一个能将99%的放射光引导到放于室温环境的硅探测器的光束分离器折回其路径。检测器中的电流通过一个噪音很低的电流放大器转换为电压。为了调谐激子是否和激光能量共振,在门栅上加一个弱调制方波电压(80mV,77.3Hz),允许一点瑞利散射光占据(每个数据点2s积分时间)。图1、(有色线)实验装置如图所示。样品被紧紧地粘到一个压电堆上,使得其[110]轴线沿着压电应力方向如图中箭头所示。激光通过光纤束器与显微镜耦合。显微镜物镜的NA为0.55。该反射光被相同的光学器件收集。图2、(有色线)低温反射光谱显示了单一QD的中性激子在压电堆电压从0V到顶部150V,压力为10.2MPa时的共振。激光波长为964.644nm。在每个光谱中观察到的谐振是两个激子线性偏振转换,AES分离得到。为了记录频谱,叠加一个直流栅极电压并慢慢(1mv/s)加大它。栅极电压通过在几个波长间隔重复实验转换成解谐电压,波长通过波长计来测定。为了均衡拉伸装置,一块样品和另一个大小和厚
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