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带隙基准领域温度补偿技术综述 　　摘 要 本文简要介绍了传统带隙基准电压源的电路结构和存在的局限性，针对提出的带隙基准领域温度补偿技术的相关专利申请，从申请量年代分布、申请人类型、主要申请人等方面进行了分析，并结合具体专利申请对主要的高阶温度补偿技术进行了详细的说明。 　　【关键词】带隙基准 高阶温度补偿 专利申请 　　1 引言 　　基准电压源是一种高精度、高稳定性的电压源，在各种模拟、数模混合集成电路中有着广泛的应用。常见的基准电压源主要有齐纳二极管、隐埋齐纳二极管和带隙基准电压源3种 ，其中带隙基准电压源具有低温度系数、高电源抑制比等优点，是目前应用最广的基准电压源。随着集成电路技术的不断发展，对于带隙基准电压源的温度特性要求也越来越高，传统的一阶带隙基准电压源已不能满足更高要求，这必然会促使相关行业加大对该技术的研发和改进，其中的一个研发热点就是如何获得更低的温度系数。而为了获得更低温度系数的带隙基准源，通常需要进行高阶补偿。近年来，各企业和科研院校关于这方面的研究越来越多，研究也不断深入，各种温度补偿技术相继被提出，各种带隙基准源的改进结构不断出现。 　　2 带隙基准源概述 　　带隙基准结构由Widlar于1971年首次提出 ，是利用PN结电压VBE的负温度系数特性和△VBE的正温度系数特性，将两者进行适当加权相加，温度系数相互抵消，从而获得与温度无关的基准电压。随后，Kujik和Brokaw进一步发展，分别于1973年和1974年提出了改进的带隙基准结构 ，提高了基准电压的精度。 　　图1为传统带隙基准电压源的电路结构，由于运算放大器处于深度负反馈而使得其正负输入端电压相等，则有： 　　（1） 　　（2） 　　其中，k为波尔兹曼常数，T为绝对温度，q为电子电量，Ic为三极管的集电极电流，Is为饱和电流，b为比例系数，Eg为硅的带隙能量。 　　由式（1）、（2）可得： 　　（3） 　　输出的基准电压为： 　　（4） 　　由于具有正温度系数，具有负温度系数，通过合理选择R1、R2和N的值，就可以得到在一定温度下具有零温度系数的基准电压。 　　3 带隙基准源温度补偿技术 　　传统的带隙基准电压源只是对VBE进行了一阶补偿，输出电压的温度系数仍然较大，精度较低，无法应用在某些高精度要求的场合。而为了进一步降低带隙基准电压源的温度系数，提高输出电压的精度，有必要对VBE中与温度相关的非线性项或者高阶项进行补偿，为此提出了各种高阶温度补偿技术。 　　3.1 专利申请概况 　　带隙基准源的国际分类号主要集中于G05F1、G05F3，下面以分类号和关键词作为主要检索手段在VEN数据库、CNABS数据库中进行检索，检索截至2014年12月31日。 　　3.1.1 申请量的年代分布 　　图2显示了带隙基准源温度补偿技术专利申请量的年代分布情况。从图2中可以看出，1997年以前带隙基准源温度补偿技术的中国专利申请量一直为零，1997年到2005年，虽然每年均有少量中国专利申请，但中国专利申请量依然相对较少，而且主要集中在外国公司。而2005年以后，无论世界范围还是中国的专利申请量都开始增长，尤其是中国专利申请量增长迅速，到2012年、2013年达到一个顶峰，说明国内申请人在这一时期开始关注和研究带隙基准源温度补偿技术。由于发明专利申请一般需要18个月的公布期，故2013年和2014年的相关专利申请数据并不完整。 　　3.1.2 国内申请人分布 　　图3显示了带隙基准源温度补偿技术国内专利申请的申请人类型分布情况。从图3可知，带隙基准源温度补偿技术国内专利申请的申请人主要集中在各科研院校和企业中，个人申请相对而言较少。其中申请量较多的申请人分别是电子科技大学、东南大学、中国科学院微电子研究所、清华大学、西安电子科技大学、钜泉光电科技（上海）股份有限公司、模拟装置公司，尤以电子科技大学申请量最多，而企业申请的申请人分布较为分散。这说明科研院校对该领域技术的研究在不断深入，而企业也开展相关研发并相应地运用到了实际生产中。 　　3.2 主要补偿技术 　　下面针对几种主要的高阶温度补偿技术进行分析。本文引用的专利文献均为专利申请的公开号。 　　3.2.1 二阶/三阶补偿 　　二阶/三阶补偿的基本思路是考虑到VBE中除了具有一阶温度项外，还具有二阶、三阶温度项，通过设计产生二阶、三阶正温度系数（PTAT2/PTAT3）的补偿项来对输出电压进行补偿，抵消VBE中存在的二阶、三阶负温度系数。 　　NSC公司在US4249122A中提出了一种温度补偿的带隙电压基准电路，其是在由VBE的负温度系数电压和△VBE的正温度系数电压叠加产生的一阶补偿基准电压基础上，通过叠加一个具有与二阶VBE的温度依