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《微电子器件原理》课程设计报告 PNP双极结型晶体管（BJT） 学 院： 电子与信息工程 专 业： 电子科学与技术 班 级： 10级 1班 学 号： 1006040116 姓 名： 马冠一 指导教师： 钟铁钢 成 绩： 一、摘要 综述 PNP双极型三极管工艺流程及工作原理分析 PNP双极结型晶体管的结构和符号如图1。 图1 PNP双极结型晶体管的结构、符号表示 PNP晶体管一般有三种类型：横向PNP、纵向PNP和衬底PNP，他们在器件结构、制作工艺、电学特性和应用范围上都有着各自的特点。横向PNP管器件的工艺完全与NPN管兼容，但晶体管作用主要发生在器件表面，因而很容易受到表面复合的影响。而且发射区的空穴载流子只能沿水平方向达到集电区，它的基区宽度又不可能做得很簿。这样，电流放大系数β就很低，有的仅为3-5。它的优点是JE和Jc都有较高的反向击穿电压。衬底PNP管器件的工艺同样与NPN管相兼容，由于不存在隐埋层而且晶体管作用发生在纵向，因而容易得到较大的βF，特征频率约10MHz左右。衬底集电极的电阻率一般在10Ω/cm左右，当有较大的电流通过集电极时，会在衬底上产生很高的压降，引起衬底电位的变化。 纵向PNP管由于结构的关系，内部的载流子沿着纵向运动。这种管子的特点是，管子的基区宽度WB可以准确地控制，而且做得很薄。因此，纵向PNP管的β很大。超β管的β值在2000一5000(α＝0.995-0.9998)。缺点是隔离槽只能接在电路中的电位最低处，使用局限性较大。 双极工艺发展过程中，在早期的标准双极（或常规双极）工艺继承的基础上陆续推出多晶发射极双极、互补双极、SiGe双极、SOI全介质隔离双极等多种工艺。 PNP双极型三极管的完整流程：衬底制备—一次氧化—隐埋层光刻—隐埋层扩散—外延淀积—再氧化—隔离光刻—隔离扩散—再氧化—基区光刻—基区扩散—再分布氧化—发射区光刻—发射区扩散—再分布氧化—接触孔光刻—铝淀积—反刻铝—铝合金—淀积钝化层—压焊块光刻—中测。 在隐埋层扩散环节需注意隐埋层杂志的选取，要求1）杂质固溶度大，一是集电极串联电阻降低；2）高温时在硅中的扩散系数要小，以减小外延时隐埋层杂质上推到外延层的距离；3）与硅衬底的晶格匹配好，以减小应力。 基区光刻应注意选择正确光刻胶。光刻胶分为负性光刻胶和正性光刻胶。（负性光刻胶受紫外线照射的区域会交联硬化，变得难容于显影液溶剂中，显影时这部分光刻胶被保留，在光刻胶上 形成一种负相的掩膜板图形；对于正性光刻胶，其受紫外线照射的区域更易溶于显影液溶剂，在光刻胶上形成一种正相的掩膜板图形。） PNP双极型晶体管的输入和输出特性曲线都是非线性的，但是，当输入信号很小时，即在局部范围内仍可当作线性元件来处理，也就是用小信号模型来处理。因此，可以在非功率型电路中用来替代PMOS管以降低产品成本。 由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo。根据电流连续性原理得： 这就是说，在基极补充一个很小的IB，就可以在集电极上得到一个较大的IC，这就是所谓电流放大作用，IC与IB是维持一定的比例关系，即：。式中：β1称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△IC与基极电流的变化量△IB之比为：。式中β称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。 BJT是非线性元件，实际工作特性与其工作模式（放大状态、饱和状态、截止状态、倒向放大状态）有关。 当BE结正偏，BC结反偏，BJT处于放大状态；当BE、BC结均正偏，BJT处于饱和状态；当BE结零偏（即VB=VE）或反偏、BC结反偏时，BJT处于截止状态；当BE结反偏，BC结正偏，BJT处于反向放大状态。 BJT主要用途是对变化的电流、电压信号进行放大，饱和状态和截止状态主要用于数字电路中。 PNP双极结型三极管内部载流子的运动规律可以分为以下三个过程： 发射区向基区注入空穴的过程 在发射结正偏时，发射区的多数载流子空穴大量向基区扩散，形成空穴电流Ipe。与此同时，基区内的电子也在结电压下扩散到发射区，形成电子电流Ine，发射极总电流为。制造时，发射结做成P+N结，使发射区的掺杂浓度大于基区掺杂浓度2~3个数量级，所以有，。 图2 左为电流流向示意图，右为载流子流向示意图 空穴在基区的扩散和复合过程 由发射区来