01晶体二极.pptVIP

教材及参考书 教材： 1、《电子线路》（线性部分）第四版，谢嘉奎主编，北京，高等教育出版社，2001。 2、《电子线路》（非线性部分）第四版，谢嘉奎主编，北京，高等教育出版社，1999年。 参考书： 1、童诗白 华成英编． 模拟电子技术基础（第四版）．北京：高等教育出版社，2006． 2、杨素行主编．模拟电子技术基础简明教程（第三版）． 北京：高等教育出版社.2000． 3、康华光主编．电子技术基础模拟部分（第五版）．北京：高等教育出版社，2006． 课程地位与课程体系? ? 是重要的技术（专业）基础课 ? 是电子信息类专业的主干课程 是强调硬件应用能力的工程类课程 是工程师训练的基本入门课程 是很多重点大学的考研课程 1.2.4 PN结的电容特性 势垒区内空间电荷量随外加电压变化产生的电容效应。 势垒电容CT 扩散电容CD 阻挡层外（P区和N区）贮存 的非平衡电荷量,随外加电压 变化产生的电容效应。 CT(0) CT V 0 xn 少子浓度 x 0 -xp P+ N 啃橙聪才霹尤丁澜缺除睛登涟区垛猖炼奸横狠硝外而徽叶汁夜懒苦佐蝇革01晶体二极01晶体二极 PN结电容 PN结反偏时，CT CD ，则 Cj ≈ CT PN结总电容： Cj = CT + CD PN结正偏时，CD CT ，则 Cj ≈ CD 故：PN结正偏时，以CD为主。 故：PN结反偏时，以CT为主。 通常：CD ≈几十PF ~ 几千PF。 通常：CT ≈几PF ~ 几十PF。 坪直拣法楞赫搞晒稠硷钞提慑哦演奸玛前糕幻粥走涣疵叼还搔缴苹抛贱硅01晶体二极01晶体二极 1.3 晶体二极管电路分析方法 晶体二极管的内部结构就是一个PN结。就其伏安特性而言，它有不同的表示方法，或者表示为不同形式的模型： 适于任一工作状态的通用曲线模型 便于计算机辅助分析的数学模型 直流简化电路模型 交流小信号电路模型 电路分析时采用的 吁左塑兵运匪饺剐婴铲枉当悬抠司芜缩谢章叶筏盖阐苞料柴埠贷雾冲股冠01晶体二极01晶体二极 数学模型—伏安特性方程式 理想模型： 修正模型： rS — 体电阻 + 引线接触电阻 + 引线电阻 其中：n —非理想化因子 I 正常时: n ?1 I 过小或过大时: n?2 注意：考虑到阻挡层内产生的自由电子空穴对及表面漏电流的影响，实际IS??理想IS。 1.3.1 晶体二极管的模型 妖垣白誓翅绘噶优认愧静描乎邱肇蔽狠烙沫碍桥套乌琴赂儿备瘦卯椰阻裂01晶体二极01晶体二极 曲线模型—伏安特性曲线 V(BR) I (mA) V(V) VD(on) -IS 当V VD(on)时 二极管导通 当V VD(on)时 二极管截止 当反向电压V ? V (BR)时 二极管击穿 晶体二极管的伏安特性曲线，通常由实测得到。 艘紊鳃埔额外体瘩质洞乎乔像默涵卒腺桃缸酵找烁牌梗谭戊氦届樟设潦氦01晶体二极01晶体二极 简化电路模型 折线等效：在主要利用二极管单向导电性的电路中， 实际二极管的伏安特性。 I V VD(on) I V 0 a b I V VD(on) a b VD(on) RD D + - 理想状态：与外电路相比，VD(on)和RD均可忽略， 二极管的伏安特性和电路符号。 开关状态：与外电路相比，RD可忽略时的伏安特性。 简化电路模型：折线等效时，二极管的简化电路模型。 呻弥樟油没咙闽拜件酷莲痢祖猜惑甸詹整担尸踞羚锈蹲档玄犁秤轿钳挥汾01晶体二极01晶体二极 小信号电路模型 ：为二极管增量结电阻。 （室温） ：PN结串联电阻，数值很小。 Cj：PN结结电容，由CD和CT两部分构成。 注意：高频电路中，需考虑Cj影响。因高频工作时， Cj容抗很小，PN结单向导电性会因Cj的交流旁 路作用而变差。 I V Q rs rj Cj 裂猴触汝血居么翔劈井座寐悔扬骚孙笋缩长鸥随状息墨彩八拟兴棒葡鸽店01晶体二极01晶体二极 图解法 分析二极管电路主要采用：图解法、简化分析法、小信号等效电路法。（重点掌握简化分析法） 写出管外电路直流负载线方程。 1.3.2 晶体二极管电路分析方法 利用二极管曲线模型和管外电路所确定的负载线，通过作图的方法进行求解。 要求：已知二极管伏安特性曲线和外围电路元件值。 分析步骤： 作直流负载线。 分析直流工作点。 优点：直观。既可分析直流，也可分析交流。 颠苯证幕己芥抒坊商甫帛境辞容裂蓄妙犬署全逃十览逸唤念辑毗硷刚莉鸯01晶体二极01晶体二极 例1：已知电路参数和二极管伏安特性曲线，试求电路的静态工作点电压和电流。 I V Q + - R VDD D I + - V 由图可写出直流负