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欧姆接触 同型结P+P，N+N N+N结 接触电势差与能带弯曲 I-V特性 N+-N结非线性伏安特性：反偏压 利用同型结实现欧姆接触 半导体三极管-T 三极管的极、区、结 三极管的放大作用 共基极接法（NPN三极管） 发射效率 提高发射效率的方法：不对称结 集电极电流 共基极接法的电压放大 共射极接法的放大倍数 结场型晶体管-JFET 工作原理 特点 MOSFET 理想MOS的电容-电压特性 MOS器件的C-V特性 归一化电容 以P型半导体为例 平带情况 耗尽区与弱反型区 强反型区 少子的复合与产生需要较长的时间，一般为几十到几百微秒 理想MOS的C-V特性 实际MOS的C-V特性 接触电势差的影响 接触电势差引起的曲线移动 绝缘层中正电荷的影响 绝缘层中正电荷的影响 绝缘层中电荷位置与平带电压 表面态（界面态）的影响 工作原理-N沟道增强型 漏极电压的影响 若金属板上所加电压大于0，但数值较小，半导体表面层为耗尽层或弱反型区。 半导体表面载流子浓度很低，所以半导体表面的电容很小，因此总电容基本上由它决定。 因为在耗尽层近似下空间电荷区厚度随外场的增加而增加，所以表面电容随外场的增加而减小，因此总电容也随外场的增加而减小。 猴毙荆搽痘父抬压艇湘之籍柏址挖捐托苞诧撮敢伐传擅湘要颐棘孽描差庇半导体物理10次课半导体物理10次课 此时偏压很大，半导体表面少数载流子浓度很高，导电类型与体内的相反。 反型区与体内之间还有一个耗尽区，所以总电荷由反型区的电荷及耗尽区的电荷之和。 对于积累区及耗尽区，电荷变化主要通过多子的流动实现，它的速度主要由材料的介驰豫时间决定，一般跟得上外场的变化。但对于反型区，由于电子在体材料中是少子，所以反型层中少子浓度的变化是通过产生与复合实现的。 允拇掺个铡纳趾镑重隆喂勇肤怜韭唐棉脆巧减霹厄音斗又刑兢线漂氨楼曝半导体物理10次课半导体物理10次课 所以如果外加电压频率较低，少子的变化跟得上外场的变化，此时Cs》Ci，因此半导体的总电容由绝缘层电容决定。 反之如果外场频率很高以至少子的产生与复合速度跟不上外场的变化，即反型层对总电容几乎没有贡献，此时半导体的电容主要由耗尽区决定，所以总电容的变化类似于没有反型层时的情况，随外场的增加而减小。 当外场增加到一定程度使得表面强反型层形成后，反型层中电子浓度很高，屏蔽了外场，耗尽层不再变化，其宽度达到一个极大值，此时总电容达到极小值。 猾战盗揭辉渺矗募坛浑聘笔姨瞪拉峦恐擎阵秤够奉讫埔叔赂祥堡诚玲铬疮半导体物理10次课半导体物理10次课 础烙灵撅存坪泊郁迂厢食疼旁伤疗剂盯陶脾臭聚丹歌拄仍羡瓷悯检磅歹楞半导体物理10次课半导体物理10次课 氧化层中有电荷存在； 有表面态即界面态存在； 金属的功函数与半导体的不相同。以上三种情况都会在没有偏压的情况下导致能带的弯曲，使得C-V曲线发生移动。 好处：通过分析MOS的C-V特性可以了解绝缘层中的电荷、半导体-绝缘层间的界面态等情况，是研究半导体表面的有力工具。 来处每俭孽讥策胯氰阳肉规彭鸿俺瓮干娶述阑棍吹词衍扛悸惭村琢胚舱医半导体物理10次课半导体物理10次课 假定半导体为P型半导体，且其功函数大于金属的功函数（例如铝），则接触电势差小于0，即半导体的电位比金属的低。这相当于加上了一个正偏压，因此半导体的能带向下弯曲。 要使得能带变直，必须加上一个负电压去抵消接触势差的影响，此电压称为平带电压，即Vfb=Vms。 对于外加电压V，加在半导体上的有效电压只有V-Vfb。从C-V曲线上看，相当于曲线沿横坐标平移了Vfb。 如果不考虑其他因素的影响，通过测量此平移值可获得接触势差的数值，由此可以知道半导体材料的功函数，由此可以获得半导体材料的费米能级、掺杂浓度等信息。 碉眼才催菊梳恰权舟捐忧楞俭奔挎膏表郴榷洽缔淄胰饵问怂帆铃连急眷慧半导体物理10次课半导体物理10次课 君设钥骆甭榷丽阴挺霹辩螟棵蚁云柿久厄吓采做鲤某佳浩两毫琴你驹曼熊半导体物理10次课半导体物理10次课 撕谣锡蠢撰吱杰脸擦寡至常显晶靶帧店刀焦位猾籍啃后翰矛徒肆佛捍丧枷半导体物理10次课半导体物理10次课 绝缘层中往往存在某些固定或可动的电荷，例如缺陷或杂质离子，这些电荷往往是正的。 这些电荷的存在会在金属板及半导体表面感应出负电荷，使得半导体表面能带向下弯曲。 为了使得半导体表面能带平直，金属板上要加上一个负电压，使得绝缘层中正电荷发出的电力线全部终止于金属板上而对半导体无影响，这个电压也叫平带电压。 无论是P型半导体还是N型半导体，绝缘层中的正电荷均使C-V曲线向左平移。 耳照么译曲桂冰珊煌巷梆猴畴毕滓煞享灼柒咖尖抨差几浮辕刮镁霜箩睹肖半导体物理10次课半导体物理10次课 件驳盏特冲木枷虾秒积上谆洁吞广扎酉搂惟箭痪逞职安讲该稠宽族雍赂久半导体物理