第03章逻辑门电路摘要.ppt

3.6 CMOS逻辑门电路 3.6.0 复习MOS管的有关知识 3.6.0 复习MOS管的有关知识 3.6.1 CMOS反相器 3.6.2 CMOS 门电路 * 3.6.1 CMOS反相器 3.6.2 CMOS门电路 3.6.3 BiCMOS门电路 3.6.4 CMOS传输门 3.6.5 CMOS逻辑门电路的技术参数 3.6.0 复习MOS管的有关知识 大规模集成芯片集成度高，所以要求体积小，而TTL系列不可能做得很小，但MOS管的结构和制造工艺对高密度制作较之TTL相对容易，下面我们介绍MOS器件。 与双极性电路比较，MOS管的优点是功耗低，可达0.01mw，缺点是开关速度稍低。在大规模的集成电路中，主要采用的CMOS电路。 1. N沟道MOS管的结构 P型衬底 沟道区域 绝缘层 金属铝 VGS=0时，则D、S之间相当于两个PN结背向的串联， D、S之间不通，iD＝0。 3.6.0 复习MOS管的有关知识 2. 工作原理 反型层 （导电沟道） 当G、S间加上正电压，且VGSVT时，栅极与衬底之间形成电场，吸引衬底中的电子到栅极下面的衬底表面，形成一个N型的反型层－－构成D、S之间的导电沟道。 VT被称为MOS管的开启电压。 由于VGS ＝0时，无导电沟道，在增强VGS 电压后形成导电沟道，所以称这类MOS管为增强型M