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存储系统 康菁发 内容 层次化存储系统构成 存储器的分类 存储器结构 Cache存储器 虚拟存储技术 层次化存储系统构成 层次越高,离CPU越近,速度越快,容量越小,成本越高。 层次越低,离CPU越远,速度越慢,容量越大,成本越低。 存储器的性能指标 存储器的性能指标 存取时间又称存储器访问时间。就是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。具体来说,从一次操作命令发出到该操作的完成,将数据读入数据缓存冲寄存器所经历的时间,称为存储器存取时间。 存储周期是指存储器连续两次访问的最小时间间隔。通常,存储周期略大于存取时间。 存储器带宽指存储器的数据传送速率,即每秒传送的数据位数。 存储器分类 考核知识 存储器是计算机系统的记忆设备 存储容量 主要单位(bit)b;字节(bytes)B;字(word)W 1B=8b;1w=32b=4B 1KB=1024B=2^10,1MB=1024KB=2^20; 1GB=2^30B 存储器的分类--按位置分 内存:也称为主存,用于存放程序和数据以及中间结果,速度快容量小。 外存:也称为辅存,如磁盘、磁带、光盘等,速度慢容量大,主要用于存放程序运行中暂时不需要的信息。 存储器的分类-按材料分 磁存储器:用磁性介质做成,如磁带、磁盘、磁鼓等。 半导体存储器:如SRAM、DRAM。 光存储器:如光盘存储器。 存储器的分类-按读写特性分 RAM:又分为SRAM和DRAM两种。 DRAM:需动态刷新。 SRAM:速度快,容量小,成本高,无需动态刷新。 ROM:一般只能读不能写。 PROM:可编程,只能写入一次。 EPROM:可擦除PROM,需使用紫外线。 EEPROM:用电擦除的方法做数据改写。 Flash ROM:类似于EEPROM,可用电信号进行删除,只是速度远快于EEPROM。 存储器信息的访问方式 顺序存取:存储器的数据以记录的形式进行组织,对数据的访问必须按特定的线性顺序进行。如磁带。 随机存取:每个可寻址单元都有唯一一个地址标识,系统可以在相同的时间内对任意一个单元进行访问,而与位置无关。如主存。 直接存取:介于二者之间的方式,如磁盘,对磁道的寻址是随机的,而在一个磁道内,则是顺序寻址。 主存的组成 地址寄存器(MAR) 用于存放由地址总线提供的将要访问的存储单元的地址码。 MAR的位数N决定了其可寻址的存储单元的个数M,即: M=2N 地址总线:MAR的位数相同。 数据寄存器(MDR) 用于存放要写入存储体的数据或从存储体中读取的数据。 数据线:与存储单元的位数相同,存储芯片是多少位,就有多少根数据引脚。 存储体 存储体:用于存放程序或数据的存储空间。 控制线路:控制读写,可以根据读写命令控制主存储器的各部分协作完成相应的操作。 读操作 读出时,CPU把要读取的存储单元的地址送入MAR,经地址译码电路分析后选中主存的某一存储单元,在控制线路的作用下,将被选存储单元的内容读取到MDR中,读操作完成。 写操作 写入时,CPU把要写入的存储单元的地址送入MAR,经地址译码电路分析后,选中主存的某一存储单元,在控制线路的作用下,将MDR的内容写入MAR指定的存储单元,写操作完成。 反映主存性能的主要术语 存储周期(Memory Cycle Time--MCT):指的是连续两次访问存储器的最小时间间隔,记作Tm。 带宽(BandWidth):指存储器的数据传送速率,即每秒传送的数据位数。记作Bm。假设存储器传送的数据宽度为W位(即一个存储周期中读取或写入的位数),那么Bm=W/Tm(b/s) 有关存储器扩展的计算 比如:在给定存储器芯片的条件下,要给CPU外扩一定容量的存储器,计算需要多少块这样的存储器芯片。 是需要位扩充还是地址扩充,抑或二者都需要。 实例 内存地址从4000H~43FFH,共有(1)内存单元。若该内存每个存储单元可以存储16个二进制位,并用4片存储器芯片构成,则芯片的容量是(2)。 (1)A. 256 B. 512 C. 1024 D. 2048 (2)A. 512×16bit B. 256×8bit C. 256 ×16bit D. 1024 ×8bit 两种主存材料 DRAM SRAM DRAM DRAM使用晶体管和小电容组成的存储单元构成的阵列来存储信息,通过电容的充电与放电来存放0和1。由于存放在电容中的电荷会泄漏,DRAM的每一位都需要每隔几个毫秒刷新一次,以防止数据丢失。 所以DRAM需要额外设计动态刷新电路。 SRAM SRAM使用触发器存放0或1,只要不对它断电,数据就不会丢失,速度快,访问时间短。但因为制作成本高,故一般容量较小。 Cache即使用SRAM制作。 各种外
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