程序员考证之存储器幻灯片.ppt

存储系统 康菁发 内容 层次化存储系统构成 存储器的分类 存储器结构 Cache存储器 虚拟存储技术 层次化存储系统构成 层次越高，离CPU越近，速度越快，容量越小，成本越高。 层次越低，离CPU越远，速度越慢，容量越大，成本越低。 存储器的性能指标 存储器的性能指标 存取时间又称存储器访问时间。就是指从启动一次存储器操作到完成该操作所经历的时间。具体来说，从一次操作命令发出到该操作的完成，将数据读入数据缓存冲寄存器所经历的时间，称为存储器存取时间。 存储周期是指存储器连续两次访问的最小时间间隔。通常，存储周期略大于存取时间。 存储器带宽指存储器的数据传送速率，即每秒传送的数据位数。 存储器分类 考核知识 存储器是计算机系统的记忆设备 存储容量 主要单位(bit)b;字节(bytes)B;字（word)W 1B=8b;1w=32b=4B 1KB=1024B=2^10,1MB=1024KB=2^20; 1GB=2^30B 存储器的分类－－按位置分 内存：也称为主存，用于存放程序和数据以及中间结果，速度快容量小。 外存：也称为辅存，如磁盘、磁带、光盘等，速度慢容量大，主要用于存放程序运行中暂时不需要的信息。 存储器的分类－按材料分 磁存储器：用磁性介质做成，如磁带、磁盘、磁鼓等。 半导体存储器：如SRAM、DRAM。 光存储器：如光盘存储器。 存储器的分类－按读写特性分 RAM：又分为SRAM和DRAM两种。 DRAM：需动态刷新。 SRAM：速度快，容量小，成本高，无需动态刷新。 ROM：一般只能读不能写。 PROM：可编程，只能写入一次。 EPROM：可擦除PROM，需使用紫外线。 EEPROM：用电擦除的方法做数据改写。 Flash ROM：类似于EEPROM，可用电信号进行删除，只是速度远快于EEPROM。 存储器信息的访问方式 顺序存取：存储器的数据以记录的形式进行组织，对数据的访问必须按特定的线性顺序进行。如磁带。 随机存取：每个可寻址单元都有唯一一个地址标识，系统可以在相同的时间内对任意一个单元进行访问，而与位置无关。如主存。 直接存取：介于二者之间的方式，如磁盘，对磁道的寻址是随机的，而在一个磁道内，则是顺序寻址。 主存的组成 地址寄存器（MAR） 用于存放由地址总线提供的将要访问的存储单元的地址码。 MAR的位数N决定了其可寻址的存储单元的个数M，即： M＝2N 地址总线：MAR的位数相同。 数据寄存器（MDR） 用于存放要写入存储体的数据或从存储体中读取的数据。 数据线：与存储单元的位数相同，存储芯片是多少位，就有多少根数据引脚。 存储体 存储体：用于存放程序或数据的存储空间。 控制线路：控制读写，可以根据读写命令控制主存储器的各部分协作完成相应的操作。 读操作 读出时，CPU把要读取的存储单元的地址送入MAR，经地址译码电路分析后选中主存的某一存储单元，在控制线路的作用下，将被选存储单元的内容读取到MDR中，读操作完成。 写操作 写入时，CPU把要写入的存储单元的地址送入MAR，经地址译码电路分析后，选中主存的某一存储单元，在控制线路的作用下，将MDR的内容写入MAR指定的存储单元，写操作完成。 反映主存性能的主要术语 存储周期（Memory Cycle Time－－MCT）：指的是连续两次访问存储器的最小时间间隔，记作Tm。 带宽（BandWidth）：指存储器的数据传送速率，即每秒传送的数据位数。记作Bm。假设存储器传送的数据宽度为W位（即一个存储周期中读取或写入的位数），那么Bm＝W/Tm（b/s） 有关存储器扩展的计算 比如：在给定存储器芯片的条件下，要给CPU外扩一定容量的存储器，计算需要多少块这样的存储器芯片。 是需要位扩充还是地址扩充，抑或二者都需要。 实例 内存地址从4000H～43FFH,共有（1）内存单元。若该内存每个存储单元可以存储16个二进制位，并用4片存储器芯片构成，则芯片的容量是（2）。 （1）A. 256 B. 512 C. 1024 D. 2048 （2）A. 512×16bit B. 256×8bit C. 256 ×16bit D. 1024 ×8bit 两种主存材料 DRAM SRAM DRAM DRAM使用晶体管和小电容组成的存储单元构成的阵列来存储信息，通过电容的充电与放电来存放0和1。由于存放在电容中的电荷会泄漏，DRAM的每一位都需要每隔几个毫秒刷新一次，以防止数据丢失。 所以DRAM需要额外设计动态刷新电路。 SRAM SRAM使用触发器存放0或1，只要不对它断电，数据就不会丢失，速度快，访问时间短。但因为制作成本高，故一般容量较小。 Cache即使用SRAM制作。 各种外