LTPS工艺流程与技术程序.pptVIP

May 2003 PeakPerformanceT PCM LTPS工艺流程与技术 LTPSOLED 绝缘层选择 SiNx: 1.具有高的击穿电压特性 2.具备自氢化修补功能 3.与多晶硅的界面存在过多的缺陷和陷阱，易产生载流子捕获缺陷和 阈值电压漂移，可通过SiO2/SiNx克服 ELA (Excimer Laser Annel) 晶化效果 Mechanism of ELA SPC（solid phase crystallization） SPC Comparison of different backplane 氢化工艺 LTPS的主要设备 FFS( Fringe-Field Switching )IPS(In-Plane Switching) 玻璃基板 RTA System Overview 沉积缓冲层\有源层 多晶硅晶化 P-Si刻蚀(mask1) P-Si刻蚀(mask1) 沟道掺杂(mask2) 沟道掺杂 N+ 掺杂(mask3) N+ 掺杂(mask3) GATE Insulator Gate层（mask4） Gate 刻蚀(干刻) Gate 刻蚀(干刻) LDD掺杂 Gate掩膜 P+ 掺杂(mask5) P+ 掺杂 ILD成膜与活化（氢化） Via1(mask6) 通孔刻蚀 通孔刻蚀 SD层(mask7) S