01章双极型半导体器件习题说课.ppt

* 例1-1 图1-1所示的各电路中，二极管为理想二极管。试分析其工作情况，求出流过二极管的电流。 解 这两个含二极管的电路中都只有一个电源，容易判断出二极管是正向偏置还是反向偏置。对理想二极管，当判断出二极管正向偏置时就将其视为短路，当判断出二极管反向偏置时，就将其视为开路，然后用求解线性电路的方法求解。 图1-1 例 1-1图 E1 20V R1 10Ω VD1 a) E2 8V R2 4Ω VD2 b) 图1-1b中，二极管反向偏置，VD２可视为开路，得到图1-2b， ID1=E1 /R1=20V/10Ω=2A 可知： ID2 =0A 图1-1a中，电源的正极接二极管的正极，电源的负极通过电阻Ｒ１接二极管的负极，此时二极管正向偏置。将VD１视为短路，得到图１-２a。 由图1-2a可求得流过二极管VD1的电流： 图1-2a 图1-1a等效电路 E1 20V R1 10Ω VD1 a) ID1 E2 8V R2 4Ω VD2 b) ID2 图1-2b 图1-1b等效电路 例１-3 两个稳压管VSZ1和VSZ2的稳压值分别为5.5V和8.5V，正向压降均为0.5V，要得到6V和14V电压，试画出稳压电路。 解 稳压管工作在反向击穿特性上。它反向偏置时，管两端电压为其稳压值，稳压管正向偏置时，管两端电压为其正向压降值。 根据上面分析，可画出１-１４两个稳压电路。 R 5.5V Ui Uo=6V VSZ2 VSZ1 0.5V R 5.5V Ui Uo=14V VSZ2 VSZ1 8.5V 图1-14 例１-4 某晶体管的集电极电流ic为1.6mA。穿透电流ICEO为0.2mA，电流放大系数?＝４０，求基极电流ib和发射极电流ie。 解 因为ic＝?ib+ICEO 所以 ib=ic-ICEO /?=(1.6-0.2)mA/40=35μA ie=ic+ib=1.6mA+0.035mA=1.635mA 1-1 本征半导体掺入五价元素成为( ) 本征半导体 b) N型半导体 c) P型半导体 b 1-2 P型半导体中的多数载流子是（ ），N型半导体的多数载流子是（ ） a) 自由电子 b） 空穴 c)正离子 d)负离子 1-3 PN节中扩散电流的方向是（ ）,漂移电流的方向（ ) a) 从P区到N区 b) 从N区到P区 b a b a 1-4 当PN结正偏时 , 空间电荷中载流子的扩散运动和漂移运动相比( ) a) 前者强于后者 b) 后者强于前者 c) 二者平衡 a 1-5 PN未加外部电压时 , 扩散电流( )漂移电流。 a) 大于 b) 小于 c) 等于 c 1-6 锗二极管的导通电压（ ），死区电压（ ）。 硅二极管的导通电压（ ），死区电压（ ）。 a) 0.7V b) 0.2V c) 0.3V d) 0.5V c b a d 1-7 当温度升高后, 二极管的正向电压( ), 反向电流( )。 a) 增大 b) 减小 c) 基本不变 1-8 稳压管（ ） a1) 是二极管 b1)不是二极管 c1)是特殊的二极管 稳压管工作在（ ）状态。 a2)正向导通 b2)反向截止 c2) 反向击穿 b a c1 c2 1-9 把一个二极管直接同一个电动势为1.5V, 内阻为零的电池正向连接, 该管( ) a) 击穿 b) 电流为零 c)电流正常 d)电流过大使管子烧坏 d 1-10 图1-18给出了锗二极管和硅二极管的伏安特性。硅管的特性曲线（ ） a)由a和c组成 b)由a和d组成 c)由b和c组成 d) 由b和d组成 1-11 由锗二极管VD，