网站大量收购独家精品文档,联系QQ:2885784924

电子技术习题(模电部分)..doc

  1. 1、本文档共30页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
电子技术习题(模电部分).

填空题 在常温下,硅二极管的正向压降约为 V;锗二极管正向压降约为_ _V。 二极管的正向电阻 ;反向电阻 。 二极管的最主要特性是 。PN结外加正向电压时,耗尽层 。 P型半导体的多子为 、N型半导体的多子为 。 因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为 半导体和 半导体两大类。 N型半导体中的多数载流子是 ,少数载流子是 。 按一个周期内一只三极管的导通角区分,功率放大电路可分为 、 、 三种基本类型。 三极管的三个工作区域是 , , 。集成运算放大器是一种采用 直接 耦合方式的放大电路。 某放大电路中的三极管,在工作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V, Vb = 0.5V, Vc = 3.6V, 试问该三极管是 管(材料), 型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的 。 已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为60dB和20dB, 则该放大电路总的对数增益为 dB,总的电压放大倍数为 。 三极管实现放大作用的外部条件是: 。某放大电路中的三极管,测得管脚电压Va = -1V,Vb =-3.2V, Vc =-3.9V, 这是 管(硅、锗), 型,集电极管脚是 。 23、三种不同耦合方式的放大电路分别为: 、 和_ _,其中 能够放大缓慢变化的信号。 24、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的 ,而前级的输出电阻可视为后级的 。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带 要窄 。 25、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入12kΩ的负载电阻后,输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 4 kΩ 。 26、为了保证三极管工作在放大区,要求: ①发射结 正向 偏置,集电结 反向 偏置。②对于NPN型三极管,应使VBC <0 。 27、放大器级间耦合方式主要有阻容(RC)耦合、直接耦合和 变压器 耦合三大类。 28、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,共射和共基组态有电压放大作用,共射 组态有电流放大作用, 共射和共集 组态有倒相作用; 共集 组态带负载能力强, 共集 组态向信号源索取的电流小, 共基 组态的频率响应好。 29、三极管放大电路的三种基本组态是 共集 、 共基 、 共射 。 30、多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有 直接耦合 , 阻容耦合 , 变压器耦合 。 31、在单级共射放大电路中,如果输入为正弦波形,用示波器观察VO和VI的波形,则VO和VI的相位差为 1800 ;当为共集电极电路时,则VO和VI的相位差为 0 。 32、放大器有两种不同性质的失真,分别是 饱和 失真和 截止 失真。 33、晶体管工作在饱和区时,发射结 a ,集电结 a ;工作在放大区时,集电结 b ,发射结 a 。(填写a正偏,b反偏,c零偏) 34、在共射、共集和共基三种放大电路组态中,希望电压放大倍数大、输出电压与输入电压反相,可选用 共射 组态;希望输入电阻大、输出电压与输入电压同相,可选用 共集 组态。 35、场效应管同双极型三极管相比,其输入电阻 大 ,热稳定性 好 36、影响放大电路通频带下限频率fL的是 隔直 电容和 极间 电容。 37、三极管工作在放大区时,它的发射结保持 正向 偏置,集电结保持 反向 偏置。 38、场效应管有 共源 、 共栅 、 共漏 三种组态。 39、在多级放大电路中总的通频带比其中每一级的通频带 窄 。 40、场效应管从结构上分成 结型FET 和 MOSFET 两大类型,它属于 电压 控制型器件。 41、场效应管属于 电压控制电流 型器件,而双极型半导体三极管则可以认为是 电流控制电流 型器件。 42、场效应管是 电压控制电流器件 器件,只依靠 多数载流子 导电。 43、根据场效应管的输出特性,其工作情况可以分为 可变电阻区 、恒流区、 击穿区 和截止区四个区域。 44、当栅源电压等于零时,增强型FET 无 导电沟道,结型FET的沟道电阻 最小 。 45、FET是 电压控制 器件,BJT是 电流控制 器件。

文档评论(0)

sd7f8dgh + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档