2.3光电倍增管(photomultipliertube,pmt.docVIP

§2.3 PhotoMultiplier Tube,PMT 光电倍增管( ) 2.3.1 光电效应 光电倍增管作为光子探测器， 利用了光电效应，光电效应有三类： 1. 光电发射效应（外光电效应） 在真空中金属或半导体表面的电子受到电磁辐射的作 用，电子会从电磁辐射中吸收能量而逃逸出固体表面， 这叫做真空固体光电效应，或称外光电效应。假如知道 入射电磁辐射能与固体表面逃逸出电子流的关系，就可 以求出入射电磁辐射的大小。 在真空固体光电辐射里，接收光子的是真空中的金属或 半导体，而转换机制是真空光电效应。 利用真空光电效应的光子探测器有光电倍增管、电子照 相机和微通道板放大器。2. 光电导效应（内光电效应） 在入射电磁辐射波长较长的情况下，金属或半导体中的 电子得不到足够的能量，无法逃出金属或半导体表面。 这时入射电磁辐射能使金属或半导体内部某些原子电 离，或者说产生电子－空穴对。晶格中电荷的变化会改 变金属或半导体的导电性能，这叫做光电导效应。 这里接收光子的是金属或半导体，而转换机制是在辐 射的作用下，产生金属或半导体材料的电性能的变化。 与外光电效应比较，光电导效应可 以用来探测低能光子。这对红外探 测是非常重要的。利用光电导效应 制成的探测器有光敏电阻等。3. 光伏效应（阻挡层光电效应） 在PN结界面处，都有一个空间电荷区，界面处的电荷产生一 定的自建电场。N区一侧带正电荷，P区一侧带负电荷，当一 个光子入射到非偏振结界面上时，产生电子—空穴对，电子 向N区运动，而空穴向P区运动，形成光致电流。使得N区积 累负电荷，而在P区积累正电荷，在PN结上形成一个电势差。 这种光作用改变结两边电势的过程，叫做光伏效应。 在光伏效应中接收光子的是半导体，而转换机制是光作用 改变界面的电动势。 在天文探测中广泛应用，如 各类光电池，红外的光伏探 测器、固态成像器（如 Reticon、CCD和CID成像 器）、光电二极管等等。光电倍增管是利用金属和半导体的光电发射 效应（外光电效应）制作的具有很高内部增益的 光敏器件，常用以测定暗弱天体的亮度。 由于照相底片的非线性以及量子效率低等缺 点，使其测量精度较低(0.01星等)，数据处理也 较繁琐。 1911年，光电管的发明，使天文测量的精度大大提 高；当时安在一个40cm望远镜上，极限星等是7等； 20世纪30年代，光电倍增管的发明，对天文学来讲 是一个重大的发展，二战后，在里克天文台90cm折 射望远镜上安装的光电倍增管，可测到11等星。2.3.2 光电倍增管的工作原理和结构 光电倍增管是利用外光电效应探测辐射的。金属或半导 体内部的电子吸收辐射后获得动能，克服物体的边界位 垒飞出表面。电子飞出表面所必须作的功，叫脱出功 W，它等于位垒能φ0。即： mv 2 2 = hν ? ? m:电子质量；v:电子速度；ν：吸收的光子频率；显然， 光电子刚好能克服位垒达到表面产生光电效应与ν有关， 临界频率(波长)为： ν = 0 ? h hc λ = 0 ? 0 超过这一波长(红端临界波长)就没有光电子反射出来。光电倍增管由三种电极构成：涂有光电发射材料的光阴极和 一系列倍增电极(打拿极)以及最终收集电子的阳极。光阴极 接受光照射后出射光电子，倍增电极上涂有二次电子发射材 料，当它接受到一个光电子轰击时，能产生多个二次电子， 由于有多个倍增极，而每个倍增电极之间施加一定电位差， 用以加速二次电子，如此逐次增殖，产生越来越多的光电 子，可高达1010个光电子，形成一个脉冲信号而最终到达阳极。 光阴极由 锑(Sb)和 铯(Cs)构 成。 打拿极对 电流的放 100V 大是无噪 音的所以光电倍增管具有很高的内部增益G，增益的定义为： G = AVn 式中A 为常数；V 为倍增管的高压（伏特）；n为倍增管 倍增极的数目。由此式可以看出倍增管的高压电源稳定性 是十分重要的。 光电倍增管可以有两种信号读出方式： 一种是脉冲计数，即光子计数读出方式； 另一种是平滑掉信号脉冲，只记录平均光电 流，称直流放大方式。 光子脉冲数与平均光电流均和入射的光辐射强 度成正比。利用光电倍增管做成的光电光度计， 可对天体进行光电测光观测。2.3.３ 光电倍增管的性 能指标 1. 灵敏度(光谱响应) 光电倍管的灵敏度主 要由光电阴极材料特性 决定，也与光电倍增极 的二次电子发射的放大 特性有关。光电倍增管 (阴极)的量子效率比照 相底片高，峰值量子效 率可达到30%。 它对不同波长光灵敏度不同，称分光灵敏度或光谱响应。 分光灵敏度是由不同光电阴极材料决定的。2. 线性特性 光电倍增管的特性是线性响应，即出射的光电子与入 射的光强度成正比，成线性变化关系。 注意不要使很强的光照射它，以免光电阴极或倍增极